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Vishay SiSS76LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 70 V / 67,4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 67,4 A Drain-Source-Spannung max. = 70 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0052 Ω Gate-Schwell...
Vishay
SiSS76LDN-T1-GE3
ab € 0,43*
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Vishay SISS73DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 16,2 A 65,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (4 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 16,2 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 125 mΩ Channel-Modus...
Vishay
SISS73DN-T1-GE3
ab € 0,53*
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 Stück
Vishay SISS73DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 16,2 A 65,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 16,2 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 125 mΩ Channel-Modus...
Vishay
SISS73DN-T1-GE3
ab € 5,11*
pro 10 Stück
 
 Packung
Vishay SISS66DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 178,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (3 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 178,3 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro...
Vishay
SISS66DN-T1-GE3
ab € 0,641*
pro Stück
 
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Vishay SISS66DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 178,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 178,3 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro...
Vishay
SISS66DN-T1-GE3
ab € 0,87*
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Vishay TrenchFET® Gen III SiSS63DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 127,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (3 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 127,5 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Serie = TrenchFET® Gen III Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,007 Ω, 0,0027 Ω, 0,0036...
Vishay
SiSS63DN-T1-GE3
ab € 0,34*
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Vishay TrenchFET® Gen III SiSS63DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 127,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 127,5 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Serie = TrenchFET® Gen III Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,007 Ω, 0,0027 Ω, 0,0036...
Vishay
SiSS63DN-T1-GE3
ab € 0,37*
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Vishay SiSS61DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 111,9 A 65,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (3 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 111,9 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 9,8 mΩ Channel-Modus...
Vishay
SiSS61DN-T1-GE3
ab € 0,33*
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 Stück
Vishay SiSS61DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 111,9 A 65,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 111,9 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 9,8 mΩ Channel-Modus...
Vishay
SiSS61DN-T1-GE3
ab € 4,01*
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Vishay SISS60DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 181,8 A 65,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (3 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 181,8 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 2,01 mΩ Channel-Modu...
Vishay
SISS60DN-T1-GE3
ab € 0,50*
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Vishay SISS60DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 181,8 A 65,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 181,8 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 2,01 mΩ Channel-Modu...
Vishay
SISS60DN-T1-GE3
ab € 6,52*
pro 10 Stück
 
 Packung
Vishay SiSS588DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 58,1 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (3 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 58,1 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SiSS588DN-T1-GE3
ab € 0,43*
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 Stück
Vishay SiSS588DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 58,1 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 58,1 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SiSS588DN-T1-GE3
ab € 0,83*
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Vishay SISS5808DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 66,6 A, 8-Pin 1212-8S (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 66,6 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISS5808DN-T1-GE3
ab € 2.739,06*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Vishay SISS5808DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 66,6 A, 8-Pin 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 66,6 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISS5808DN-T1-GE3
ab € 1,36*
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