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Vishay SISS30LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55,5 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (3 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 55,5 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 12 mΩ Channel-Modus =...
Vishay
SISS30LDN-T1-GE3
ab € 0,43*
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 Stück
Vishay SISS30LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55,5 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 55,5 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 12 mΩ Channel-Modus =...
Vishay
SISS30LDN-T1-GE3
ab € 4,77*
pro 10 Stück
 
 Packung
Vishay SiSS30ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 54,7 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (3 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 54,7 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0074 Ω Gate-Schwell...
Vishay
SiSS30ADN-T1-GE3
ab € 0,45*
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 Stück
Vishay SiSS30ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 54,7 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 54,7 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0074 Ω Gate-Schwell...
Vishay
SiSS30ADN-T1-GE3
ab € 0,42*
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 Stück
Vishay TrenchFET SISS27DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (3 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 23 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 9 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate...
Vishay
SISS27DN-T1-GE3
ab € 0,30*
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 Stück
Vishay TrenchFET SISS27DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 23 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 9 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate...
Vishay
SISS27DN-T1-GE3
ab € 793,98*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Vishay SISS26LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 81,2 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (3 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 81,2 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 6,2 mΩ Channel-Modus ...
Vishay
SISS26LDN-T1-GE3
ab € 0,43*
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 Stück
Vishay SISS26LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 81,2 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 81,2 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 6,2 mΩ Channel-Modus ...
Vishay
SISS26LDN-T1-GE3
ab € 8,67*
pro 10 Stück
 
 Packung
Vishay TrenchFET SISS23DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 27 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (3 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 27 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 11,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement G...
Vishay
SISS23DN-T1-GE3
ab € 0,27*
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Vishay TrenchFET SISS23DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 27 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 27 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 11,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement G...
Vishay
SISS23DN-T1-GE3
ab € 8,97*
pro 20 Stück
 
 Packung
Vishay TrenchFET® Gen IV SiSS22LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 92,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (3 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 92,5 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = TrenchFET® Gen IV Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0051 Ω, 0,00365 Ω Channel...
Vishay
SiSS22LDN-T1-GE3
ab € 0,41*
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Vishay TrenchFET® Gen IV SiSS22LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 92,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 92,5 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = TrenchFET® Gen IV Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0051 Ω, 0,00365 Ω Channel...
Vishay
SiSS22LDN-T1-GE3
ab € 0,46*
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Vishay Siliconix TrenchFET SiSS12DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 60 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 2 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate...
Vishay
SiSS12DN-T1-GE3
ab € 0,39*
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Vishay Siliconix TrenchFET SiSS12DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 60 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 2 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate...
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SiSS12DN-T1-GE3
ab € 4,91*
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Vishay SiSS05DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 108 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (4 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 108 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 5,8 mΩ Channel-Modus =...
Vishay
SiSS05DN-T1-GE3
ab € 0,42*
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