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  IGBT-Module (193 Artikel)

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV; SMT (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXA20PG1200DHGLB
ab € 7,85*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 30A (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXA30RG1200DHGLB
ab € 6,99*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 43A (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXA40RG1200DHGLB
ab € 8,57*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 56A; SOT227B (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 56A Kollektorstrom im Impuls: 150A V...
IXYS
IXA60IF1200NA
ab € 24,79*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A; SOT227B (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 65A Kollektorstrom im Impuls: 150A V...
IXYS
IXA70I1200NA
ab € 26,83*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 21A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 21A Kollektorstrom im Impuls: 265A V...
IXYS
IXBN42N170A
ab € 29,86*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Impuls: 680A V...
IXYS
IXBN75N170
ab € 79,05*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 42A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 42A Kollektorstrom im Impuls: 100A A...
IXYS
IXBN75N170A
ab € 48,40*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 86A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 86A Einheitspreis: Nein Elektrische Montage: schraubbar Mechanisch...
IXYS
IXG70IF1200NA
ab € 19,85*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 95A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 95A Kollektorstrom im Impuls: 600A V...
IXYS
IXGN100N170
ab € 52,49*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 160A Kollektorstrom im Impuls: 1,05k...
IXYS
IXGN200N170
ab € 59,20*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B (4 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im Impuls: 1,2kA...
IXYS
IXGN200N60B3
ab € 45,37*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 170A Kollektorstrom im Impuls: 1,2kA...
IXYS
IXGN320N60A3
ab € 25,97*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 190A Kollektorstrom im Impuls: 800A ...
IXYS
IXGN400N60A3
ab € 41,09*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im Impuls: 1,5kA...
IXYS
IXGN400N60B3
ab € 40,99*
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