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  IGBT-Module (1.142 Artikel)

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 80A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 80A Kollektorstrom im Impuls: 150A Anwen...
IXYS
MCNA120UI2200TED
ab € 116,59*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 90A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y4-M5 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 90A Kollektorstrom im Impuls: 150A Anwendu...
IXYS
MDI100-12A3
ab € 51,05*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 120A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 120A Kollektorstrom im Impuls: 200A Anwen...
IXYS
MDI150-12A4
ab € 59,82*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 220A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 220A Kollektorstrom im Impuls: 400A Anwen...
IXYS
MDI300-12A4
ab € 82,24*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 460A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 460A Kollektorstrom im Impuls: 800A Anwen...
IXYS
MDI550-12A4
ab € 176,59*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 60A (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y4-M5 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom im Impuls: 100A Anwendu...
IXYS
MDI75-12A3
ab € 29,43*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 84A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 84A Kollektorstrom im Impuls: 225A Einhe...
IXYS
MDMA210UB1600PTED
ab € 94,02*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 140A Kollektorstrom im Impuls: 300A Einh...
IXYS
MDMA240UB1600ED
ab € 102,16*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 140A Kollektorstrom im Impuls: 300A Einh...
IXYS
MDMA280UB1600PTED
ab € 103,50*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 175A Kollektorstrom im Impuls: 400A Einh...
IXYS
MDMA360UB1600PTED
ab € 118,64*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 175A Kollektorstrom im Impuls: 450A Einh...
IXYS
MDMA450UB1600PTED
ab € 131,52*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Impuls: 200A Einh...
IXYS
MDNA210UB2200PTED
ab € 133,07*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Impuls: 200A Einh...
IXYS
MDNA280UB2200PTED
ab € 152,41*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 135A Kollektorstrom im Impuls: 280A Einh...
IXYS
MDNA360UB2200PTED
ab € 198,41*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: package S Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Impuls: 20...
IXYS
MG06100S-BN4MM
ab € 69,78*
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