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  IGBT-Module (1.141 Artikel)

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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A; SOT227B (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 65A Kollektorstrom im Impuls: 150A V...
IXYS
IXA70I1200NA
ab € 26,66*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F4.1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F4S
ab € 26,67*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 175A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 175A Kollektorstrom im Impuls: 450A Ve...
IXYS
MIXA150Q1200VA
ab € 26,77*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 62A (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 62A Kollektorstrom im Impuls: 100A...
Powersem
PSSI 75/12
ab € 27,24*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 1,2kV (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom ...
Infineon
FP10R12W1T7B11BOMA1
ab € 27,44*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 50A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im...
Infineon
DDB6U75N16W1RBOMA1
ab € 27,44*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: C1 34mm Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstro...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50HFX65C1S
ab € 27,79*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITOP2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 35A Kollektorstrom im ...
SEMIKRON DANFOSS
SK 35 GB 12T4 24914900
ab € 27,86*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im I...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GLQ65JU2
ab € 27,88*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 20A Kollektorstrom ...
Infineon
FP20R06W1E3B11BOMA1
ab € 27,91*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 160A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 160A Kollektorstrom im Impuls: 1kA V...
IXYS
IXXN200N60B3
ab € 28,04*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 1 Leistung: 4kW Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Anwen...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 11NAB126V1 25230010
ab € 28,05*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: P3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 35A Kollektorstrom im Impuls: 7...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG35P12P3
ab € 28,13*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: HW9434 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im ...
DACO Semiconductor
DAGNH75600
ab € 28,41*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 40A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E1-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom im Impuls: 105A ...
IXYS
MIXA40W1200TML
ab € 28,42*
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