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  IGBT-Module (1.142 Artikel)

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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 400A; 2,5kW (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MMES Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstr...
Infineon
FZ400R17KE4HOSA1
ab € 85,11*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; AG-62MM (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom...
Infineon
FZ600R12KE3HOSA1
ab € 132,82*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 900A; 4,3kW (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MMES Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 900A Kollektorstr...
Infineon
FZ900R12KE4HOSA1
ab € 127,86*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONOD-6 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektor...
Infineon
IFF450B12ME4PB11BPSA1
ab € 166,99*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONOD-6 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektor...
Infineon
IFF600B12ME4PB11BPSA1
ab € 183,07*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV; SMT (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXA20PG1200DHGLB
ab € 7,85*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 30A (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXA30RG1200DHGLB
ab € 6,99*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 43A (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXA40RG1200DHGLB
ab € 8,57*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 56A; SOT227B (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 56A Kollektorstrom im Impuls: 150A V...
IXYS
IXA60IF1200NA
ab € 24,79*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A; SOT227B (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 65A Kollektorstrom im Impuls: 150A V...
IXYS
IXA70I1200NA
ab € 26,83*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 21A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 21A Kollektorstrom im Impuls: 265A V...
IXYS
IXBN42N170A
ab € 29,86*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Impuls: 680A V...
IXYS
IXBN75N170
ab € 79,05*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 42A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 42A Kollektorstrom im Impuls: 100A A...
IXYS
IXBN75N170A
ab € 48,40*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 86A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 86A Einheitspreis: Nein Elektrische Montage: schraubbar Mechanisch...
IXYS
IXG70IF1200NA
ab € 19,85*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 95A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 95A Kollektorstrom im Impuls: 600A V...
IXYS
IXGN100N170
ab € 52,49*
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