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  IGBT-Module (1.142 Artikel)

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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 160A Kollektorstrom im Impuls: 1,05k...
IXYS
IXGN200N170
ab € 59,19*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B (4 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im Impuls: 1,2kA...
IXYS
IXGN200N60B3
ab € 45,40*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 170A Kollektorstrom im Impuls: 1,2kA...
IXYS
IXGN320N60A3
ab € 25,96*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 190A Kollektorstrom im Impuls: 800A ...
IXYS
IXGN400N60A3
ab € 41,13*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im Impuls: 1,5kA...
IXYS
IXGN400N60B3
ab € 40,87*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im Impuls: 240A V...
IXYS
IXGN50N120C3H1
ab € 31,21*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 52A Kollektorstrom im Impuls: 360A V...
IXYS
IXGN72N60C3H1
ab € 26,34*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 98A Kollektorstrom im Impuls: 440A V...
IXYS
IXXN100N60B3H1
ab € 29,92*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Impuls: 650A V...
IXYS
IXXN110N65B4H1
ab € 24,11*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Impuls: 470A V...
IXYS
IXXN110N65C4H1
ab € 24,02*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 160A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 160A Kollektorstrom im Impuls: 1kA V...
IXYS
IXXN200N60B3
ab € 28,17*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 98A Kollektorstrom im Impuls: 1kA Ve...
IXYS
IXXN200N60B3H1
ab € 32,11*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 98A Kollektorstrom im Impuls: 1kA Ve...
IXYS
IXXN200N60C3H1
ab € 28,97*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im Impuls: 1,2kA ...
IXYS
IXXN200N65A4
ab € 19,38*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 76A; SOT227B (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 76A Kollektorstrom im Impuls: 480A V...
IXYS
IXYN100N120B3H1
ab € 30,98*
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