IGBT-Module bei Mercateo günstig kaufen

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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 5,2kV; Ic: 2kA; STAKPAK (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 5,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 2kA Kollektorstrom im Impuls: 4kA Ein...

ABB

5SJA 2000L520301

ab € 5.733,50*
pro Stück

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 5,2kV; Ic: 3kA; STAKPAK (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 5,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 3kA Kollektorstrom im Impuls: 6kA Ein...

ABB

5SJA 3000L520300

ab € 8.301,56*
pro Stück

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 4,5kV; Ic: 3kA; STAKPAK (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 3kA Kollektorstrom im Impuls: 6kA Ein...

ABB

5SMA 3000L450300

ab € 5.003,96*
pro Stück

Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 6,5kV; Ic: 400A; HIPAK (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 6,5kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 4...

ABB

5SNA 0400J650100

ab € 1.472,43*
pro Stück

Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 6,5kV; Ic: 500A; HIPAK; SPT+ (1 Angebot)

ABB

5SNA 0500J650300

ab € 1.582,56*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 600A (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 6,5kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom im Impuls: 1,2kA E...

ABB

5SNA 0600G650100

ab € 1.948,38*
pro Stück

Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 4,5kV; Ic: 650A; HIPAK (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 6...

ABB

5SNA 0650J450300

ab € 1.328,59*
pro Stück

Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 4,5kV; Ic: 800A; HIPAK (1 Angebot)

ABB

5SNA 0800J450300

ab € 1.434,20*
pro Stück

Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 3,3kV; Ic: 800A; HIPAK (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 8...

ABB

5SNA 0800N330100

ab € 1.205,79*
pro Stück

Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 6,5kV; Ic: 1kA; HIPAK (1 Angebot)

ABB

5SNA 1000G650300

ab € 2.499,88*
pro Stück

Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 3,3kV; Ic: 1kA; HIPAK (1 Angebot)

ABB

5SNA 1000N330300

ab € 1.213,98*
pro Stück

Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 3,3kV; Ic: 1,2kA; HIPAK (1 Angebot)

ABB

5SNA 1200E330100

ab € 1.474,17*
pro Stück

Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 3,3kV; Ic: 1,2kA; HIPAK (1 Angebot)

ABB

5SNA 1200G330100

ab € 1.923,07*
pro Stück

Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 4,5kV; Ic: 1,2kA; HIPAK (1 Angebot)

ABB

5SNA 1200G450300

ab € 1.766,74*
pro Stück

Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 4,5kV; Ic: 1,2kA; HIPAK (1 Angebot)

ABB

5SNA 1200G450350

ab € 1.870,75*
pro Stück

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 4,5kV; Ic: 1,3kA; STAKPAK (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1,3kA Kollektorstrom im Impuls: 2,6kA...

ABB

5SNA 1300K450300

ab € 4.878,82*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Urmax: 4,52kV; Ic: 1,5kA (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 4,52kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1,5kA Kollektorstrom im Impuls: 3kA...

ABB

5SNA 1500K452300

ab € 3.600,30*
pro Stück

Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 1,7kV; Ic: 1,6kA; HIPAK (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1...

ABB

5SNA 1600N170100

ab € 1.028,58*
pro Stück

Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 1,7kV; Ic: 1,6kA; HIPAK (1 Angebot)

ABB

5SNA 1600N170300

ab € 972,60*
pro Stück

Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 3,3kV; Ic: 1,8kA; HIPAK (1 Angebot)

ABB

5SNA 1800E330400

ab € 1.897,20*
pro Stück

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 4,5kV; Ic: 2kA; STAKPAK (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 2kA Kollektorstrom im Impuls: 4kA Ein...

ABB

5SNA 2000K450300

ab € 7.029,21*
pro Stück

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 4,5kV; Ic: 2kA; STAKPAK (1 Angebot)

ABB

5SNA 2000K451300

ab € 6.202,68*
pro Stück

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 4,5kV; Ic: 2kA; STAKPAK (1 Angebot)

ABB

5SNA 2000K452300

ab € 4.487,52*
pro Stück

Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 1,7kV; Ic: 2,4kA; HIPAK (1 Angebot)

ABB

5SNA 2400E170305

ab € 1.220,73*
pro Stück

Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 1,7kV; Ic: 2,4kA; HIPAK (1 Angebot)

ABB

5SNA 2400N170300

ab € 1.201,49*
pro Stück

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 4,5kV; Ic: 3kA; STAKPAK (1 Angebot)

ABB

5SNA 3000K452300

ab € 7.153,24*
pro Stück

Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 1,7kV; Ic: 3,6kA; HIPAK (1 Angebot)

ABB

5SNA 3600E170300

ab € 1.694,60*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT x2; Urmax: 3,3kV; Ic: 500A (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 500A Kollektorstrom im Impuls: 1kA Ein...

ABB

5SND 0500N330300

ab € 1.316,93*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT x2; Urmax: 1,7kV; Ic: 800A (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 800A Kollektorstrom im Impuls: 1,6kA E...

ABB

5SND 0800M170100

ab € 1.075,02*
pro Stück

Modul: IGBT; boost chopper,buck chopper; Urmax: 3,3kV; Ic: 800A (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 800A K...

ABB

5SNE 0800E330100

ab € 1.452,74*
pro Stück

Modul: IGBT; boost chopper,buck chopper; Urmax: 4,5kV; Ic: 800A (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 800A K...

ABB

5SNE 0800G450300

ab € 1.743,37*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,buck chopper; HIPAK (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 800A Kollektorstrom im Impuls: 1,6kA Einhei...

ABB

5SNE 0800M170100

ab € 1.021,48*
pro Stück

Modul: IGBT; boost chopper,buck chopper; Urmax: 3,3kV; Ic: 1kA (1 Angebot)

ABB

5SNE 1000E330300

ab € 1.472,98*
pro Stück

Modul: IGBT; boost chopper,buck chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 1,6kA (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1,6kA ...

ABB

5SNE 1600E170300

ab € 1.223,71*
pro Stück

Modul: IGBT; boost chopper,buck chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 2,4kA (1 Angebot)

ABB

5SNE 2400E170300

ab € 1.380,71*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 4,5kV (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impuls: 300A Ei...

ABB

5SNG 0150P450300

ab € 786,94*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,7kV (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: 62PAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impuls: 300A Ei...

ABB

5SNG 0150Q170300

ab € 73,17*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,7kV (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: 62PAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im Impuls: 400A Ei...

ABB

5SNG 0200Q170300

ab € 83,19*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 3,3kV (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 250A Kollektorstrom im Impuls: 500A Ei...

ABB

5SNG 0250P330305

ab € 803,20*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,7kV (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: 62PAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Impuls: 600A Ei...

ABB

5SNG 0300Q170300

ab € 153,19*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 3,3kV (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: LINPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstrom im Impuls: 900A E...

ABB

5SNG 0450X330300

ab € 769,83*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,7kV (1 Angebot)

Hersteller: ABB Gehäuse: LINPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1kA Kollektorstrom im Impuls: 2kA Ein...

ABB

5SNG 1000X170300

ab € 844,03*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot)

Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: HW9434 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im...

DACO Semiconductor

DAGNH1001200

ab € 42,75*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot)

Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: HW9434 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im...

DACO Semiconductor

DAGNH100600

ab € 33,62*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot)

DACO Semiconductor

DAGNH1501200

ab € 57,40*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot)

DACO Semiconductor

DAGNH2001200

ab € 71,72*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot)

DACO Semiconductor

DAGNH200600

ab € 46,64*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot)

DACO Semiconductor

DAGNH751200

ab € 36,32*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot)

DACO Semiconductor

DAGNH75600

ab € 28,41*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot)

Hersteller: HUAJING Gehäuse: V1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Impuls: 200A A...

HUAJING

HFGM100D12V1

ab € 36,20*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot)

Hersteller: HUAJING Gehäuse: V3 62MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impuls: 3...

HUAJING

HFGM150D12V3

ab € 58,03*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot)

Hersteller: HUAJING Gehäuse: V3 62MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im Impuls: 4...

HUAJING

HFGM200D12V3

ab € 60,81*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot)

Hersteller: HUAJING Gehäuse: V3 62MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Impuls: 6...

HUAJING

HFGM300D12V3

ab € 100,57*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot)

Hersteller: HUAJING Gehäuse: V1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Impuls: 200A An...

HUAJING

HFGM75D12V1

ab € 32,13*
pro Stück

Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV (3 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: PCB Betriebstemperatur: -25...85°C Gehäuse: AG-EICE Versorgungsspannung: 14...16V DC Frequenz: 60kHz Ausgangsstrom: 30A Ausgangs-Art: Steuerung IGBT Anwen...

Infineon

2ED300C17SROHSBPSA1

ab € 126,25*
pro Stück

Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: PCB Betriebstemperatur: -40...85°C Gehäuse: AG-EICE Versorgungsspannung: 14...16V DC Frequenz: 60kHz Ausgangsstrom: 30A Ausgangs-Art: Steuerung IGBT Anwen...

Infineon

2ED300C17STROHSBPSA1

ab € 135,48*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-34MM-1 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorst...

Infineon

BSM200GB60DLC

ab € 79,45*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 50A (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO2B Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom i...

Infineon

DDB6U104N16RRBPSA1

ab € 85,81*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 70A (2 Angebote)

Infineon

DDB6U134N16RRBPSA1

ab € 87,32*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 50A (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im...

Infineon

DDB6U50N16W1RBPSA1

ab € 29,03*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 50A (3 Angebote)

Infineon

DDB6U75N16W1RBOMA1

ab € 27,44*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom i...

Infineon

DF400R12KE3HOSA1

ab € 126,29*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO4-1 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom ...

Infineon

F3L300R07PE4

ab € 208,53*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x2; Ic: 150A (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO3-4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektor...

Infineon

F4150R12KS4BOSA1

ab € 212,21*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x2; Ic: 75A (3 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-1 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektors...

Infineon

F475R06W1E3BOMA1

ab € 23,27*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; 1-Phasendiodenbrücke; Urmax: 600V (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-1 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 30A Kollektorstrom ...

Infineon

FB30R06W1E3BOMA1

ab € 26,29*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck-boost chopper; Urmax: 3,3kV (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-IHVB190 Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1kA Kollektorstrom i...

Infineon

FD1000R33HE3KBPSA1

ab € 2.116,86*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 300A (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM-1 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom i...

Infineon

FD300R06KE3HOSA1

ab € 69,83*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; 1,47kW (2 Angebote)

Infineon

FD300R12KE3HOSA1

ab € 124,99*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-34MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstro...

Infineon

FF100R12RT4HOSA1

ab € 62,75*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorst...

Infineon

FF200R12KE3HOSA1

ab € 117,77*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot)

Infineon

FF200R12KE4PHOSA1

ab € 93,33*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor,gemeinsamer Emitter; IGBT x2 (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Str...

Infineon

FF200R12KT3EHOSA1

ab € 96,18*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (3 Angebote)

Infineon

FF200R12KT4HOSA1

ab € 70,92*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,7kV (3 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM-1 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorst...

Infineon

FF200R17KE4HOSA1

ab € 85,51*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (2 Angebote)

Infineon

FF300R12KE3

ab € 125,56*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (2 Angebote)

Infineon

FF300R12KS4

ab € 163,20*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor,gemeinsamer Emitter; IGBT x2 (1 Angebot)

Infineon

FF300R12KT3EHOSA1

ab € 155,36*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (3 Angebote)

Infineon

FF300R12KT4HOSA1

ab € 85,61*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,7kV (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONOD-3 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektor...

Infineon

FF300R17ME4BOSA1

ab € 145,13*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONOD-3 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektor...

Infineon

FF450R06ME3

ab € 165,83*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (3 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstro...

Infineon

FF450R12KE4HOSA1

ab € 133,26*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (2 Angebote)

Infineon

FF450R12KT4HOSA1

ab € 137,32*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 3,3kV (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-XHP100-6 Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektor...

Infineon

FF450R33T3E3B5BPSA1

ab € 1.617,88*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,7kV (2 Angebote)

Infineon

FF500R17KE4BOSA1

ab € 177,63*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-PRIME2-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 900A Kollektor...

Infineon

FF900R12IE4

ab € 606,92*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 6A Kollektorstrom i...

Infineon

FP06R12W1T4B3BOMA1

ab € 30,95*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO3-3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom...

Infineon

FP100R12KT4B11BOSA1

ab € 148,98*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 1,2kV (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom ...

Infineon

FP10R12W1T7B11BOMA1

ab € 27,44*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 1,2kV (3 Angebote)

Infineon

FP15R12W1T4_B3

ab € 28,57*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 20A Kollektorstrom ...

Infineon

FP20R06W1E3B11BOMA1

ab € 27,91*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 25A (3 Angebote)

Infineon

FP25R12W1T7B11BPSA1

ab € 35,71*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO2C Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 30A Kollektorstrom i...

Infineon

FP30R06KE3BPSA1

ab € 77,86*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 40A (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO2-5 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom ...

Infineon

FP40R12KT3BOSA1

ab € 127,39*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY2B-2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom ...

Infineon

FP50R06W2E3B11BOMA1

ab € 45,30*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A (3 Angebote)

Infineon

FP50R12KT3BOSA1

ab € 99,40*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A (1 Angebot)

Infineon

FP75R12KT4

ab € 209,24*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY2B-2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektor...

Infineon

FS100R12W2T7B11BOMA1

ab € 63,43*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 750W (3 Angebote)

Infineon

FS150R12KT4BOSA1

ab € 122,37*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO4-1 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektor...

Infineon

FS150R17PE4BOSA1

ab € 218,32*
pro Stück

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