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  N-Kanal-Transistoren SMD (1.851 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 15,6A; Idm: 60A; 2W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 15,6A Widerstand im Leitungszustand: 9,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2W Polarisierun...
Vishay
SISH106DN-T1-GE3
ab € 0,641*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16,9A; Idm: 60A; 2W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 16,9A Widerstand im Leitungszustand: 7,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2W Polarisierun...
Vishay
SISH110DN-T1-GE3
ab € 0,532*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 169A Widerstand im Leitungszustand: 3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisierung:...
Vishay
SISS80DN-T1-GE3
ab € 0,68*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 32A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 12,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 17,5W Polarisier...
Vishay
SIS438DN-T1-GE3
ab € 0,292*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 17,6A; Idm: 60A; 2W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 17,6A Widerstand im Leitungszustand: 6,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2W Polarisierun...
Vishay
SISH108DN-T1-GE3
ab € 0,33*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 177A; Idm: 150A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 177A Widerstand im Leitungszustand: 4,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisierung...
Vishay
SIR800ADP-T1-RE3
ab € 1.281,15*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 177A; Idm: 150A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 177A Widerstand im Leitungszustand: 4,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisierung...
Vishay
SIR800ADP-T1-GE3
ab € 0,723*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 1A; Idm: 1,4A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1A Widerstand im Leitungszustand: 1,8Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,25W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art...
Vishay
SIUD402ED-T1-GE3
ab € 0,06*
pro Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19,2W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...
Vishay
SIA466EDJ-T1-GE3
ab € 976,08*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 30A; Idm: 70A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 7,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 41,7W Polarisierung:...
Vishay
SIR424DP-T1-GE3
ab € 0,362*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 100A; 33W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 5,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33W Polarisierung...
Vishay
SIS454DN-T1-GE3
ab € 0,58*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 33W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 6,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33W Polarisierung...
Vishay
SISH410DN-T1-GE3
ab € 0,58*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 33W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 6,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33W Polarisierung...
Vishay
SIS410DN-T1-GE3
ab € 0,63*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 36W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 6,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisierung: u...
Vishay
SIR410DP-T1-GE3
ab € 0,573*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 430A; Idm: 500A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 430A Widerstand im Leitungszustand: 1,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung:...
Vishay
SIR178DP-T1-RE3
ab € 0,709*
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