N-Kanal-Transistoren SMD Infineon Diodes Vishay bei Mercateo günstig kaufen

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Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12,5A; Idm: 23A (2 Angebote)

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Infineon

IGT60R190D1SATMA1

ab € 8,02*
pro Stück

Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-DSO-20 Gatestrom: 20mA Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 31A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Transistor-Typ: N-JFET Verlustleist...

Infineon

IGOT60R070D1AUMA1

ab € 18,13*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 1,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 34,7W Pol...

Vishay

SIRC16DP-T1-GE3

ab € 0,73*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 18A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 17,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 17,7W...

Vishay

SIS780DN-T1-GE3

ab € 0,31*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 2,86mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 36W P...

Vishay

SISS64DN-T1-GE3

ab € 0,499*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 29,6W Po...

Vishay

SISC06DN-T1-GE3

ab € 0,334*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42,1W (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 142,6A Widerstand im Leitungszustand: 2,19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 42...

Vishay

SISS66DN-T1-GE3

ab € 0,641*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42,1W (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 145,4A Widerstand im Leitungszustand: 2,01mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 42...

Vishay

SISS60DN-T1-GE3

ab € 0,50*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 1,54mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 34,7W Po...

Vishay

SIRC18DP-T1-GE3

ab € 0,70*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 27,5W Pol...

Vishay

SIRC10DP-T1-GE3

ab € 0,331*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 32W Polaris...

Vishay

SIRC06DP-T1-GE3

ab € 0,334*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 19,5A; 33W (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 19,5A Widerstand im Leitungszustand: 54,1/51,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Ver...

Vishay

SIZ270DT-T1-GE3

ab € 0,49*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16/35A; 27/48W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 16/35A Widerstand im Leitungszustand: 9/4,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 27/48W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ710DT-T1-GE3

ab € 2.433,93*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4,5A; Idm: 15A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 63mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 7,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...

Vishay

SIA906EDJ-T1-GE3

ab € 0,19*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4,5A; Idm: 20A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TSSOP8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 43mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1W Polarisierung: unipol...

Vishay

SI6926ADQ-T1-GE3

ab € 0,46*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 515mA; 280mW (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SC89;SOT563 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 515mA Widerstand im Leitungszustand: 1,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,28W Polarisieru...

Vishay

SI1024X-T1-GE3

ab € 0,22*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30/40A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 30/40A Widerstand im Leitungszustand: 12,7/6,58mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unipola...

Vishay

SIZ320DT-T1-GE3

ab € 1.337,97*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30A; Idm: 100A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...

Vishay

SIZ322DT-T1-GE3

ab € 0,285*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40/60A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 40/60A Widerstand im Leitungszustand: 7,9/3,35mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20,2/40W Polarisierung: unipolar...

Vishay

SIZ926DT-T1-GE3

ab € 0,482*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12/16A; 20/30W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12/16A Widerstand im Leitungszustand: 30/17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20/30W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ704DT-T1-GE3

ab € 2.172,33*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12/16A; 20/33W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12/16A Widerstand im Leitungszustand: 30/17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20/33W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ904DT-T1-GE3

ab € 6,72*
pro 10 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16/28A (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 16/28A Widerstand im Leitungszustand: 14,5/4,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 29/100W Polarisierung: unipolar ...

Vishay

SIZ918DT-T1-GE3

ab € 0,604*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 14,5/8,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 29/66W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ902DT-T1-GE3

ab € 2.517,24*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28/11A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 28/11A Widerstand im Leitungszustand: 16,5/32mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 31/16,7W Polarisierung: unipolar ...

Vishay

SIZ300DT-T1-GE3

ab € 1.855,41*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30/40A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 30/40A Widerstand im Leitungszustand: 13,7/7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unipolar V...

Vishay

SIZ340DT-T1-GE3

ab € 0,293*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 100A (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 9,44mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpackun...

Vishay

SIZ350DT-T1-GE3

ab € 0,35*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 100A (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 10,19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpacku...

Vishay

SIZ348DT-T1-GE3

ab € 0,35*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33,4/69,7A (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 33,4/69,7A Widerstand im Leitungszustand: 14,4/6,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unip...

Vishay

SIZ340ADT-T1-GE3

ab € 0,435*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33,4A; 16,7W (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 33,4A Widerstand im Leitungszustand: 14,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpack...

Vishay

SIZ342ADT-T1-GE3

ab € 0,289*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 36/69,3A (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 36/69,3A Widerstand im Leitungszustand: 14,03/6,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unipo...

Vishay

SIZ340BDT-T1-GE3

ab € 0,267*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4,5A; Idm: 15A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 77mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 7,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...

Vishay

SIA918EDJ-T1-GE3

ab € 0,138*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4,5A; Idm: 30A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 7,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...

Vishay

SIA928DJ-T1-GE3

ab € 638,97*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 61A; Idm: 130A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 61A Widerstand im Leitungszustand: 7,7/7,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Verpacku...

Vishay

SIZ200DT-T1-GE3

ab € 0,361*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 21mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 3,9W Polarisierung: unipolar ...

Vishay

SQ4282EY-T1_BE3

ab € 2.651,325*
pro 2.500 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 15,6W Polarisierun...

Vishay

SI7288DP-T1-GE3

ab € 0,69*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 38A; Idm: 80A (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 18,87/18,11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ250DT-T1-GE3

ab € 0,507*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 70V; 31,8A; Idm: 60A (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 70V Drainstrom: 31,8A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Verpackungs...

Vishay

SIZ256DT-T1-GE3

ab € 0,44*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 0,19Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 76W ...

Infineon

IPDD60R190G7XTMA1

ab € 0,82*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A (3 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 0,15Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 95W ...

Infineon

IPDD60R150G7XTMA1

ab € 1,09*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A (3 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,125Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 120...

Infineon

IPDD60R125G7XTMA1

ab € 1,63*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 66A (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 0,102Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 139...

Infineon

IPDD60R102G7XTMA1

ab € 2,22*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 29A; Idm: 83A (3 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 29A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 174W ...

Infineon

IPDD60R080G7XTMA1

ab € 2,20*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 47A; Idm: 135A (3 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 47A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 278W ...

Infineon

IPDD60R050G7XTMA1

ab € 3,72*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2,8A; 1W; SOT223 (2 Angebote)

Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT223 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1W Polarisieru...

Diodes

ZXMS6006SGTA

ab € 0,59*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2A; 1,3W; SOT223 (2 Angebote)

Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT223 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 0,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,3W Polarisieru...

Diodes

ZXMS6005DGTA

ab € 0,40*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W (3 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-7 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 180A Widerstand im Leitungszustand: 1,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Po...

Infineon

IPB180N04S4H0ATMA1

ab € 1,58*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A (3 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3-313 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 61A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65W ...

Infineon

IPD90N04S405ATMA1

ab € 0,34*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3-313 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 81A Widerstand im Leitungszustand: 4,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 71W ...

Infineon

IPD90N04S404ATMA1

ab € 0,497*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W (3 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-3 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 2,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 188W Po...

Infineon

IPB120N06S402ATMA2

ab € 1,22*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W (3 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 12mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 50W Polar...

Infineon

IPD50N06S4L12ATMA2

ab € 0,31*
pro Stück

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