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  N-Kanal-Transistoren SMD (1.856 Artikel)

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Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12,5A; Idm: 23A (2 Angebote) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: INFINEON TEC...
Infineon
IGT60R190D1SATMA1
ab € 7,97*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-DSO-20 Gatestrom: 20mA Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 31A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Transistor-Typ: N-JFET Verlustleist...
Infineon
IGOT60R070D1AUMA1
ab € 18,08*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 1,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 34,7W Pol...
Vishay
SIRC16DP-T1-GE3
ab € 0,74*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 18A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 17,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 17,7W...
Vishay
SIS780DN-T1-GE3
ab € 0,32*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 2,86mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 36W P...
Vishay
SISS64DN-T1-GE3
ab € 0,494*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 29,6W Po...
Vishay
SISC06DN-T1-GE3
ab € 0,334*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42,1W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 142,6A Widerstand im Leitungszustand: 2,19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 42...
Vishay
SISS66DN-T1-GE3
ab € 0,54*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42,1W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 145,4A Widerstand im Leitungszustand: 2,01mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 42...
Vishay
SISS60DN-T1-GE3
ab € 0,50*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 1,54mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 34,7W Po...
Vishay
SIRC18DP-T1-GE3
ab € 0,69*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 27,5W Pol...
Vishay
SIRC10DP-T1-GE3
ab € 0,331*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 32W Polaris...
Vishay
SIRC06DP-T1-GE3
ab € 0,334*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 19,5A; 33W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 19,5A Widerstand im Leitungszustand: 54,1/51,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Ver...
Vishay
SIZ270DT-T1-GE3
ab € 0,49*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16/35A; 27/48W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 16/35A Widerstand im Leitungszustand: 9/4,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 27/48W Polarisierung: unipolar Verp...
Vishay
SIZ710DT-T1-GE3
ab € 2.473,41*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4,5A; Idm: 15A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 63mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 7,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...
Vishay
SIA906EDJ-T1-GE3
ab € 0,191*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4,5A; Idm: 20A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TSSOP8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 43mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1W Polarisierung: unipol...
Vishay
SI6926ADQ-T1-GE3
ab € 0,47*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 515mA; 280mW (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SC89;SOT563 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 515mA Widerstand im Leitungszustand: 1,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,28W Polarisieru...
Vishay
SI1024X-T1-GE3
ab € 0,22*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30/40A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 30/40A Widerstand im Leitungszustand: 12,7/6,58mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unipola...
Vishay
SIZ320DT-T1-GE3
ab € 1.334,13*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30A; Idm: 100A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
Vishay
SIZ322DT-T1-GE3
ab € 0,285*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40/60A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 40/60A Widerstand im Leitungszustand: 7,9/3,35mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20,2/40W Polarisierung: unipolar...
Vishay
SIZ926DT-T1-GE3
ab € 0,482*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12/16A; 20/30W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12/16A Widerstand im Leitungszustand: 30/17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20/30W Polarisierung: unipolar Verp...
Vishay
SIZ704DT-T1-GE3
ab € 2.202,06*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12/16A; 20/33W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12/16A Widerstand im Leitungszustand: 30/17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20/33W Polarisierung: unipolar Verp...
Vishay
SIZ904DT-T1-GE3
ab € 6,78*
pro 10 Stück
 
 Packungen
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16/28A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 16/28A Widerstand im Leitungszustand: 14,5/4,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 29/100W Polarisierung: unipolar ...
Vishay
SIZ918DT-T1-GE3
ab € 0,603*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 14,5/8,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 29/66W Polarisierung: unipolar Verp...
Vishay
SIZ902DT-T1-GE3
ab € 2.589,27*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28/11A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 28/11A Widerstand im Leitungszustand: 16,5/32mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 31/16,7W Polarisierung: unipolar ...
Vishay
SIZ300DT-T1-GE3
ab € 1.920,57*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30/40A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 30/40A Widerstand im Leitungszustand: 13,7/7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unipolar V...
Vishay
SIZ340DT-T1-GE3
ab € 0,296*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 100A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 9,44mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpackun...
Vishay
SIZ350DT-T1-GE3
ab € 0,36*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 100A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 10,19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpacku...
Vishay
SIZ348DT-T1-GE3
ab € 0,36*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33,4/69,7A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 33,4/69,7A Widerstand im Leitungszustand: 14,4/6,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unip...
Vishay
SIZ340ADT-T1-GE3
ab € 0,377*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33,4A; 16,7W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 33,4A Widerstand im Leitungszustand: 14,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpack...
Vishay
SIZ342ADT-T1-GE3
ab € 1.223,16*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 36/69,3A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 36/69,3A Widerstand im Leitungszustand: 14,03/6,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unipo...
Vishay
SIZ340BDT-T1-GE3
ab € 0,241*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4,5A; Idm: 15A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 77mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 7,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...
Vishay
SIA918EDJ-T1-GE3
ab € 0,136*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4,5A; Idm: 30A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 7,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...
Vishay
SIA928DJ-T1-GE3
ab € 667,47*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 61A; Idm: 130A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 61A Widerstand im Leitungszustand: 7,7/7,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Verpacku...
Vishay
SIZ200DT-T1-GE3
ab € 0,361*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 21mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 3,9W Polarisierung: unipolar ...
Vishay
SQ4282EY-T1_BE3
ab € 2.675,55*
pro 2.500 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 15,6W Polarisierun...
Vishay
SI7288DP-T1-GE3
ab € 0,47*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 38A; Idm: 80A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 18,87/18,11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Verp...
Vishay
SIZ250DT-T1-GE3
ab € 0,497*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 70V; 31,8A; Idm: 60A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 70V Drainstrom: 31,8A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Verpackungs...
Vishay
SIZ256DT-T1-GE3
ab € 0,435*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 0,19Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 76W ...
Infineon
IPDD60R190G7XTMA1
ab € 1,20*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 0,15Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 95W ...
Infineon
IPDD60R150G7XTMA1
ab € 1,67*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,125Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 120...
Infineon
IPDD60R125G7XTMA1
ab € 2,01*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 66A (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 0,102Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 139...
Infineon
IPDD60R102G7XTMA1
ab € 2,69*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 29A; Idm: 83A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 29A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 174W ...
Infineon
IPDD60R080G7XTMA1
ab € 3,19*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 47A; Idm: 135A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 47A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 278W ...
Infineon
IPDD60R050G7XTMA1
ab € 4,68*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2,8A; 1W; SOT223 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT223 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1W Polarisieru...
Diodes
ZXMS6006SGTA
ab € 0,57*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2A; 1,3W; SOT223 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT223 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 0,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,3W Polarisieru...
Diodes
ZXMS6005DGTA
ab € 0,44*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TDSON-8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 0,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Po...
Infineon
IAUC120N04S6L008ATMA1
ab € 0,98*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-7 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 180A Widerstand im Leitungszustand: 1,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Po...
Infineon
IPB180N04S4H0ATMA1
ab € 1,42*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3-313 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 61A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65W ...
Infineon
IPD90N04S405ATMA1
ab € 0,44*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3-313 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 81A Widerstand im Leitungszustand: 4,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 71W ...
Infineon
IPD90N04S404ATMA1
ab € 0,487*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-3 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 2,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 188W Po...
Infineon
IPB120N06S402ATMA2
ab € 1,27*
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