Kategorien
Deutschland
Deutsch
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  >  >  > N-Kanal-Transistoren SMD ---

  N-Kanal-Transistoren SMD (354 Artikel)

Folgende Filter helfen, die Artikelliste nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis€  Wort 
Funktionen
☐
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Artikel ^v
Hersteller/-Nr. ^v
Preis ^v
Bestellen
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: PowerFLAT 5x6 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 192W Polar...
ST Microelectronics
SGT120R65AL
ab € 2,61*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 1,4mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (1 Angebot) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 1,4mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,1W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannun...
Toshiba
2SK208-O(TE85L,F)
ab € 0,168*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA (1 Angebot) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 14mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,15W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannun...
Toshiba
2SK209-BL(TE85L,F)
ab € 0,21*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 6,5mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA (3 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 6,5mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,15W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannu...
Toshiba
2SK209-GR(TE85L,F)
ab € 0,133*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 6,5mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (2 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 6,5mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,1W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannun...
Toshiba
2SK208-GR(TE85L,F)
ab € 0,112*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: H2PAK7 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 0,115Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Ve...
ST Microelectronics
STH30N65DM6-7AG
ab € 2,79*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 2,2A; Idm: 14A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 950V Drainstrom: 2,2A Widerstand im Leitungszustand: 2,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 70W Polarisierun...
ST Microelectronics
STD5N95K5
ab € 1,06*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 9A; 90W; DPAK (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 950V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 1,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 90W Polarisierung...
ST Microelectronics
STD6N95K5
ab € 1,29*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5,6A; Idm: 36A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 5,6A Widerstand im Leitungszustand: 0,48Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 85W Polarisier...
ST Microelectronics
STB11N65M5
ab € 1,12*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1,2kV; 8A; Idm: 32A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 1,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 280W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R6SVFRG
ab € 19,21*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   36   vorwärts
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.