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  N-Kanal-Transistoren SMD (292 Artikel)

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Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: PowerFLAT 5x6 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 192W Polar...
ST Microelectronics
SGT120R65AL
ab € 2,60*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 1,4mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (2 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 1,4mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,1W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Einheitspreis: Nein...
Toshiba
2SK208-O(TE85L,F)
ab € 0,116*
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 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA (2 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 14mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,15W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Einheitspreis: Nein...
Toshiba
2SK209-BL(TE85L,F)
ab € 0,138*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 6,5mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA (3 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 6,5mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,15W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Einheitspreis: Nei...
Toshiba
2SK209-GR(TE85L,F)
ab € 0,145*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 6,5mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (2 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 6,5mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,1W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Einheitspreis: Nein...
Toshiba
2SK208-GR(TE85L,F)
ab € 0,122*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: H2PAK7 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 0,115Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Ve...
ST Microelectronics
STH30N65DM6-7AG
ab € 3,23*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 2,2A; Idm: 14A (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 950V Drainstrom: 2,2A Widerstand im Leitungszustand: 2,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 70W Polarisierun...
ST Microelectronics
STD5N95K5
ab € 0,814*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 9A; 90W; DPAK (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 950V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 1,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 90W Polarisierung...
ST Microelectronics
STD6N95K5
ab € 1,24*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5,6A; Idm: 36A (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 5,6A Widerstand im Leitungszustand: 0,48Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 85W Polarisier...
ST Microelectronics
STB11N65M5
ab € 1,11*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polarisierun...
ST Microelectronics
STB100N10F7
ab € 1,16*
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