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  N-Kanal-Transistoren SMD (1.249 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 1,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 34,7W Pol...
Vishay
SIRC16DP-T1-GE3
ab € 0,73*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 18A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 17,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 17,7W...
Vishay
SIS780DN-T1-GE3
ab € 0,31*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 2,86mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 36W P...
Vishay
SISS64DN-T1-GE3
ab € 0,499*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 29,6W Po...
Vishay
SISC06DN-T1-GE3
ab € 0,334*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42,1W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 142,6A Widerstand im Leitungszustand: 2,19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 42...
Vishay
SISS66DN-T1-GE3
ab € 0,641*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42,1W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 145,4A Widerstand im Leitungszustand: 2,01mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 42...
Vishay
SISS60DN-T1-GE3
ab € 0,50*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 1,54mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 34,7W Po...
Vishay
SIRC18DP-T1-GE3
ab € 0,70*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 27,5W Pol...
Vishay
SIRC10DP-T1-GE3
ab € 0,331*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 32W Polaris...
Vishay
SIRC06DP-T1-GE3
ab € 0,334*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 19,5A; 33W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 19,5A Widerstand im Leitungszustand: 54,1/51,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Ver...
Vishay
SIZ270DT-T1-GE3
ab € 0,49*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16/35A; 27/48W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 16/35A Widerstand im Leitungszustand: 9/4,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 27/48W Polarisierung: unipolar Verp...
Vishay
SIZ710DT-T1-GE3
ab € 2.433,93*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4,5A; Idm: 15A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 63mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 7,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...
Vishay
SIA906EDJ-T1-GE3
ab € 0,19*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4,5A; Idm: 20A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TSSOP8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 43mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1W Polarisierung: unipol...
Vishay
SI6926ADQ-T1-GE3
ab € 0,46*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 515mA; 280mW (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SC89;SOT563 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 515mA Widerstand im Leitungszustand: 1,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,28W Polarisieru...
Vishay
SI1024X-T1-GE3
ab € 0,22*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30/40A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 30/40A Widerstand im Leitungszustand: 12,7/6,58mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unipola...
Vishay
SIZ320DT-T1-GE3
ab € 1.337,97*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30A; Idm: 100A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
Vishay
SIZ322DT-T1-GE3
ab € 0,285*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40/60A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 40/60A Widerstand im Leitungszustand: 7,9/3,35mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20,2/40W Polarisierung: unipolar...
Vishay
SIZ926DT-T1-GE3
ab € 0,482*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12/16A; 20/30W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12/16A Widerstand im Leitungszustand: 30/17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20/30W Polarisierung: unipolar Verp...
Vishay
SIZ704DT-T1-GE3
ab € 2.172,33*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12/16A; 20/33W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12/16A Widerstand im Leitungszustand: 30/17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20/33W Polarisierung: unipolar Verp...
Vishay
SIZ904DT-T1-GE3
ab € 6,72*
pro 10 Stück
 
 Packungen
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16/28A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 16/28A Widerstand im Leitungszustand: 14,5/4,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 29/100W Polarisierung: unipolar ...
Vishay
SIZ918DT-T1-GE3
ab € 0,604*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 14,5/8,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 29/66W Polarisierung: unipolar Verp...
Vishay
SIZ902DT-T1-GE3
ab € 2.517,24*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28/11A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 28/11A Widerstand im Leitungszustand: 16,5/32mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 31/16,7W Polarisierung: unipolar ...
Vishay
SIZ300DT-T1-GE3
ab € 1.855,41*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30/40A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 30/40A Widerstand im Leitungszustand: 13,7/7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unipolar V...
Vishay
SIZ340DT-T1-GE3
ab € 0,293*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 100A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 9,44mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpackun...
Vishay
SIZ350DT-T1-GE3
ab € 0,35*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 100A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 10,19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpacku...
Vishay
SIZ348DT-T1-GE3
ab € 0,35*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33,4/69,7A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 33,4/69,7A Widerstand im Leitungszustand: 14,4/6,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unip...
Vishay
SIZ340ADT-T1-GE3
ab € 0,435*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33,4A; 16,7W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 33,4A Widerstand im Leitungszustand: 14,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpack...
Vishay
SIZ342ADT-T1-GE3
ab € 0,289*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 36/69,3A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 36/69,3A Widerstand im Leitungszustand: 14,03/6,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unipo...
Vishay
SIZ340BDT-T1-GE3
ab € 0,267*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4,5A; Idm: 15A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 77mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 7,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...
Vishay
SIA918EDJ-T1-GE3
ab € 0,138*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4,5A; Idm: 30A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 7,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...
Vishay
SIA928DJ-T1-GE3
ab € 638,97*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 61A; Idm: 130A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 61A Widerstand im Leitungszustand: 7,7/7,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Verpacku...
Vishay
SIZ200DT-T1-GE3
ab € 0,361*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 21mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 3,9W Polarisierung: unipolar ...
Vishay
SQ4282EY-T1_BE3
ab € 2.651,325*
pro 2.500 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 15,6W Polarisierun...
Vishay
SI7288DP-T1-GE3
ab € 0,69*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 38A; Idm: 80A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 18,87/18,11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Verp...
Vishay
SIZ250DT-T1-GE3
ab € 0,507*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 70V; 31,8A; Idm: 60A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 70V Drainstrom: 31,8A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Verpackungs...
Vishay
SIZ256DT-T1-GE3
ab € 0,44*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 127A; Idm: 722A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 127A Widerstand im Leitungszustand: 4,95mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 115W P...
Nexperia
PSMN2R0-25YLDX
ab € 0,304*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 152A; Idm: 860A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 152A Widerstand im Leitungszustand: 4,11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 135W P...
Nexperia
PSMN1R7-25YLDX
ab € 0,451*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 205A; Idm: 1163A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 205A Widerstand im Leitungszustand: 2,87mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 172W P...
Nexperia
PSMN1R2-25YLDX
ab € 0,817*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 216A; Idm: 1226A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 216A Widerstand im Leitungszustand: 2,43mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 160W P...
Nexperia
PSMN1R0-25YLDX
ab € 0,548*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 285A; Idm: 1614A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 285A Widerstand im Leitungszustand: 2,04mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 238W P...
Nexperia
PSMN0R9-25YLDX
ab € 0,667*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 300A; Idm: 1758A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 300A Widerstand im Leitungszustand: 1,82mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 268W P...
Nexperia
PSMNR60-25YLHX
ab € 0,91*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 380A; Idm: 2174A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: PowerSO8;SOT1023;LFPAK56E Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 380A Widerstand im Leitungszustand: 1,46mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 333W...
Nexperia
PSMNR51-25YLHX
ab € 1,58*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 70A; Idm: 405A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 9,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65W Polarisierun...
Nexperia
PSMN3R5-25MLDX
ab € 0,288*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 70A; Idm: 555A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 74W Polarisierun...
Nexperia
PSMN2R0-25MLDX
ab € 0,318*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 100A; Idm: 793A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 4,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 142W Po...
Nexperia
PSMN2R0-30YLDX
ab € 0,47*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 110A; Idm: 624A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 5,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 106W Polarisier...
Nexperia
PSMN1R8-30MLHX
ab € 0,353*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 116A; Idm: 656A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 116A Widerstand im Leitungszustand: 4,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 106W Polarisier...
Nexperia
PSMN1R6-30MLHX
ab € 0,83*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 281A; Idm: 1589A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 281A Widerstand im Leitungszustand: 2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 268W Pola...
Nexperia
PSMNR70-30YLHX
ab € 0,93*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1592A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT1023A Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 284A Widerstand im Leitungszustand: 1,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 227W Polarisierung: un...
Nexperia
PSMN0R9-30ULDX
ab € 1,51*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 347A; Idm: 1960A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: PowerSO8;SOT1023;LFPAK56E Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 347A Widerstand im Leitungszustand: 1,65mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 333W...
Nexperia
PSMNR58-30YLHX
ab € 1,59*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 47A; Idm: 264A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 47A Widerstand im Leitungszustand: 13,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 51W Polarisieru...
Nexperia
PSMN6R4-30MLDX
ab € 0,228*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 70A; Idm: 580A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 5,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 91W Polarisierun...
Nexperia
PSMN2R4-30MLDX
ab € 0,347*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 119A; Idm: 658A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 119A Widerstand im Leitungszustand: 5,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 147W Po...
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PSMN2R8-40YSDX
ab € 0,304*
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 121A; Idm: 682A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 121A Widerstand im Leitungszustand: 6,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 147W Po...
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PSMN2R5-40YLDX
ab € 0,40*
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 140A; Idm: 789A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 140A Widerstand im Leitungszustand: 4,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 166W Po...
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PSMN2R2-40YSDX
ab € 0,485*
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 143A; Idm: 807A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 143A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 166W Po...
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PSMN2R0-40YLDX
ab € 0,499*
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 162A; Idm: 919A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 162A Widerstand im Leitungszustand: 3,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 194W Po...
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ab € 0,454*
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 167A; Idm: 944A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 167A Widerstand im Leitungszustand: 4,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 194W Po...
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1168A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT1023A Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 198A Widerstand im Leitungszustand: 2,45mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 164W Polarisierung: u...
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PSMN1R0-40ULDX
ab € 1,96*
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 202A; Idm: 1145A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 202A Widerstand im Leitungszustand: 2,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 238W Po...
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PSMN1R5-40YSDX
ab € 0,831*
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 277A; Idm: 1564A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: PowerSO8;SOT1023;LFPAK56E Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 277A Widerstand im Leitungszustand: 2,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 333W ...
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 285A; Idm: 1613A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: PowerSO8;SOT1023;LFPAK56E Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 285A Widerstand im Leitungszustand: 2,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 333W ...
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 293A; Idm: 1659A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK88;SOT1235 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 293A Widerstand im Leitungszustand: 2,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 375W Polarisier...
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 350A; Idm: 1983A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK88;SOT1235 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 350A Widerstand im Leitungszustand: 1,53mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 375W Polarisie...
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 42A; Idm: 239A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 16,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 59W Polarisieru...
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 42A; Idm: 239A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 21,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 59W Polarisieru...
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 500A; Idm: 2237A (3 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK88;SOT1235 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 500A Widerstand im Leitungszustand: 1,19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 375W Polarisie...
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65W Polarisierung...
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 16,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65W Polarisieru...
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 62A; Idm: 349A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 62A Widerstand im Leitungszustand: 14mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung...
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 62A; Idm: 349A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 62A Widerstand im Leitungszustand: 10,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisieru...
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 69A Widerstand im Leitungszustand: 12mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 90W Polarisierung...
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 69A Widerstand im Leitungszustand: 9,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 90W Polarisierun...
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 84A; Idm: 475A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 84A Widerstand im Leitungszustand: 9,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 101W Polarisieru...
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 93A; Idm: 526A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 93A Widerstand im Leitungszustand: 6,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 115W Pol...
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PSMN3R5-40YSDX
ab € 0,68*
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 95A; Idm: 537A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 95A Widerstand im Leitungszustand: 8,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 115W Pol...
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 125V; 24,8A; Idm: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 125V Drainstrom: 24,8A Widerstand im Leitungszustand: 29,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42,1W Polaris...
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SISS70DN-T1-GE3
ab € 0,69*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 150V; 16A; Idm: 50A; 33W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 85mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33W Polarisierung...
Vishay
SIS888DN-T1-GE3
ab € 0,688*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 150V; 20,4A; Idm: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 20,4A Widerstand im Leitungszustand: 42mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42,1W Polarisie...
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SISS72DN-T1-GE3
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Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 200V; 11,2A; Idm: 30A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 11,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisier...
Vishay
SISS98DN-T1-GE3
ab € 0,79*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 200V; 15,6A; Idm: 25A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 15,6A Widerstand im Leitungszustand: 78mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42,1W Polarisie...
Vishay
SISS94DN-T1-GE3
ab € 0,35*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 250V; 9,9A; Idm: 20A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 9,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,19Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42,1W Polarisie...
Vishay
SISS92DN-T1-GE3
ab € 0,415*
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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 40A; Idm: 226A; 167W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 52,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 167W P...
Nexperia
PSMN019-100YLX
ab € 0,60*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 6,5A; Idm: 26A; 8,3W (3 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT223;SC73 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 6,5A Widerstand im Leitungszustand: 90mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 8,3W Polarisierung:...
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PHT6NQ10T,135
ab € 0,32*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 60A; Idm: 339A; 238W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 33,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 238W P...
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PSMN012-100YLX
ab € 1,03*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 0,8A; Idm: 4A; 350mW (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT883B;DFN1006B-3 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 0,8A Widerstand im Leitungszustand: 1,19Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,35W Polari...
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PMZB290UNE2YL
ab € 0,0488*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 12A; Idm: 76A; 15W (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: DFN2020MD-6;SOT1220 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 46mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Ve...
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BUK7D25-40EX
ab € 0,103*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 190A; Idm: 600A; 395W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: PowerSO8;SOT1023;LFPAK56E Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 190A Widerstand im Leitungszustand: 1,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbr...
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BUK7J1R4-40HX
ab € 1,81*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,12A; Idm: 0,765A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT23;TO236AB Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,12A Widerstand im Leitungszustand: 10Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,265W Polarisieru...
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NX138AKVL
ab € 0,414*
pro 20 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,12A; Idm: 0,76A; ESD (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT23;TO236AB Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,12A Widerstand im Leitungszustand: 9,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,265W Polarisier...
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ab € 0,0241*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,17A; Idm: 0,9A; 0,31W (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT23;TO236AB Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,17A Widerstand im Leitungszustand: 5,7Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,31W Polarisieru...
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,19A; Idm: 1,2A; 830mW (7 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT23;TO236AB Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,19A Widerstand im Leitungszustand: 5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,83W Polarisierung...
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ab € 0,0214*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,215A; Idm: 1,2A; ESD (3 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SC70;SOT323 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,215A Widerstand im Leitungszustand: 2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,33W Polarisierung:...
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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,245A; Idm: 1,2A; 1,2W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT23;TO236AB Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,245A Widerstand im Leitungszustand: 2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,2W Polarisierung...
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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,245A; Idm: 1,2A; 1,2W (6 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT23;TO236AB Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,245A Widerstand im Leitungszustand: 2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,2W Polarisierung...
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ab € 0,0213*
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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,24A; Idm: 1,2A; 0,26W (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SC70;SOT323 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,24A Widerstand im Leitungszustand: 1,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,26W Polarisierung...
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,28A; Idm: 1,2A; 420mW (3 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT23;TO236AB Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,28A Widerstand im Leitungszustand: 2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,42W Polarisierung...
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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,2A; Idm: 0,9A; 0,68W (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT883B;DFN1006B-3 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,2A Widerstand im Leitungszustand: 5,7Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,68W Polaris...
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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 1,9A; Idm: 12A; 1,6W (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: DFN2020MD-6;SOT1220 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 1,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,175Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,6W Polar...
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PMPB85ENEAX
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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2,5A; Idm: 16A; 1,65W (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: DFN2020MD-6;SOT1220 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2,5A Widerstand im Leitungszustand: 106mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,65W Polar...
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PMPB55ENEAX
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