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  N-Kanal-Transistoren SMD (784 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 125V; 24,8A; Idm: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 125V Drainstrom: 24,8A Widerstand im Leitungszustand: 29,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42,1W Polaris...
Vishay
SISS70DN-T1-GE3
ab € 0,70*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 150V; 16A; Idm: 50A; 33W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 85mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33W Polarisierung...
Vishay
SIS888DN-T1-GE3
ab € 0,678*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 150V; 20,4A; Idm: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 20,4A Widerstand im Leitungszustand: 42mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42,1W Polarisie...
Vishay
SISS72DN-T1-GE3
ab € 0,92*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 200V; 11,2A; Idm: 30A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 11,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisier...
Vishay
SISS98DN-T1-GE3
ab € 0,79*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 200V; 15,6A; Idm: 25A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 15,6A Widerstand im Leitungszustand: 78mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42,1W Polarisie...
Vishay
SISS94DN-T1-GE3
ab € 0,35*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 250V; 9,9A; Idm: 20A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 9,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,19Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42,1W Polarisie...
Vishay
SISS92DN-T1-GE3
ab € 0,415*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 1,5A; Idm: 6A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,25W Polarisierung: unipo...
Vishay
SI2328DS-T1-E3
ab € 0,32*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 1,6A; Idm: 2,5A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1,6A Widerstand im Leitungszustand: 720mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2W Polarisierung: unipolar...
Vishay
SQ2398ES-T1_GE3
ab € 0,27*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 102A; Idm: 350A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 102A Widerstand im Leitungszustand: 4,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 84W Polarisierung:...
Vishay
SIRS700DP-T1-RE3
ab € 2,68*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 104A; Idm: 200A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 104A Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...
Vishay
SIDR668ADP-T1-RE3
ab € 1,03*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 11,4A; Idm: 20A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 11,4A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 15W Polarisieru...
Vishay
SIS110DN-T1-GE3
ab € 0,18*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 110A; Idm: 300A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 5,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...
Vishay
SIR5102DP-T1-RE3
ab € 1,12283*
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ab € 3.368,49*
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 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO263-7 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 4,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 375W Polarisierung: unip...
Vishay
SUM70040M-GE3
ab € 1,36*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 126A; Idm: 300A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 126A Widerstand im Leitungszustand: 4,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 126A; Idm: 300A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 126A Widerstand im Leitungszustand: 5,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
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SIDR5102EP-T1-RE3
ab € 0,91*
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