N-Kanal-Transistoren SMD Vishay bei Mercateo günstig kaufen

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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 302A; Idm: 500A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 8x8L Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 302A Widerstand im Leitungszustand: 1,58mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 333W Polarisierun...

Vishay

SIJH5800E-T1-GE3

ab € 8.605,22*
pro 2.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 75V; 60A; Idm: 80A; 125W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 12,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...

Vishay

SIE818DF-T1-E3

ab € 8.491,29*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 277A; Idm: 500A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 8x8L Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 277A Widerstand im Leitungszustand: 2,14mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 333W Polarisieru...

Vishay

SIJH5100E-T1-GE3

ab € 7.433,40*
pro 2.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 75V; 60A; Idm: 80A; 125W (1 Angebot)

Vishay

SIE818DF-T1-GE3

ab € 7.120,50*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 2,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...

Vishay

SIE808DF-T1-E3

ab € 6.650,52*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 2,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...

Vishay

SIE802DF-T1-E3

ab € 6.121,68*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 2,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...

Vishay

SIDR626DP-T1-RE3

ab € 5.667,96*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 3,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...

Vishay

SIE812DF-T1-GE3

ab € 5.522,40*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot)

Vishay

SIE812DF-T1-E3

ab € 5.521,26*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 104W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 5,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...

Vishay

SIE822DF-T1-E3

ab € 5.375,85*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 421A; Idm: 500A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 421A Widerstand im Leitungszustand: 0,68mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...

Vishay

SIDR500EP-T1-RE3

ab € 5.217,60*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 104A; Idm: 200A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 104A Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...

Vishay

SIDR668ADP-T1-RE3

€ 4.620,00*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 39,6A; Idm: 80A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 39,6A Widerstand im Leitungszustand: 33,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackung...

Vishay

SIDR610DP-T1-RE3

ab € 4.560,00*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 7,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung:...

Vishay

SIR870DP-T1-GE3

ab € 4.469,04*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 10,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...

Vishay

SIR804DP-T1-GE3

ab € 4.160,37*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 8,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung:...

Vishay

SIR846DP-T1-GE3

ab € 4.022,91*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 100A; Idm: 500A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 0,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung:...

Vishay

SIR140DP-T1-RE3

ab € 3.949,26*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 153A; Idm: 300A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 153A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art...

Vishay

SIDR5802EP-T1-RE3

ab € 3.923,85*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 53,7A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 53,7A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...

Vishay

SIR872DP-T1-GE3

ab € 3.918,75*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 80A; 83W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 2,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: u...

Vishay

SIR438DP-T1-GE3

ab € 3.837,78*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 8,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung: ...

Vishay

SIR880DP-T1-GE3

ab € 3.745,08*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 100A; 83W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: uni...

Vishay

SIR688DP-T1-GE3

ab € 3.579,63*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 110A; Idm: 300A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 5,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...

Vishay

SIR5102DP-T1-RE3

ab € 3.374,37*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 3,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Polarisierung: u...

Vishay

SIR800DP-T1-RE3

ab € 3.370,47*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 204A; Idm: 300A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 204A Widerstand im Leitungszustand: 2,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...

Vishay

SIDR626LDP-T1-RE3

ab € 3.348,00*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 2,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83,3W Polarisierung:...

Vishay

SIR180DP-T1-RE3

ab € 3.267,75*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 65,8A; Idm: 150A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 65,8A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83,3W Polarisierung...

Vishay

SIR106DP-T1-RE3

ab € 3.267,18*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W (1 Angebot)

Vishay

SIR800DP-T1-GE3

ab € 3.266,49*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 65A; 250W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 156mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polarisierung: u...

Vishay

SIHB24N65EFT1-GE3

ab € 3.150,656*
pro 800 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 1,16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...

Vishay

SIR638DP-T1-RE3

ab € 3.076,02*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 92,4A; Idm: 150A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 92,4A Widerstand im Leitungszustand: 4,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65,7W Polarisierung: unipolar Verpackungs...

Vishay

SIJ188DP-T1-GE3

ab € 3.075,18*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A; 48W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 2,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 48W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art...

Vishay

SIJA52DP-T1-GE3

ab € 2.936,82*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A; 83W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 8,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: u...

Vishay

SIR880ADP-T1-GE3

ab € 2.818,92*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 37A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 37A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 44,5W Polarisierung:...

Vishay

SIR606DP-T1-GE3

ab € 2.772,93*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 45A; Idm: 80A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 45A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65,7W Polarisierung:...

Vishay

SIR108DP-T1-RE3

ab € 2.762,88*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 51,6A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 51,6A Widerstand im Leitungszustand: 20,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisieru...

Vishay

SIR622DP-T1-GE3

ab € 2.752,50*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66,6A; Idm: 150A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 66,6A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65,7W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...

Vishay

SISS5808DN-T1-GE3

ab € 2.743,98*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 37,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: unipola...

Vishay

SUD35N10-26P-BE3

ab € 2.682,38*
pro 2.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W (1 Angebot)

Vishay

SUD35N10-26P-GE3

ab € 2.677,16*
pro 2.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 21mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 3,9W Polarisierung: unipolar ...

Vishay

SQ4282EY-T1_BE3

ab € 2.674,45*
pro 2.500 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 27,5W Polarisierung: u...

Vishay

SIR820DP-T1-GE3

ab € 2.640,93*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 14,5/8,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 29/66W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ902DT-T1-GE3

ab € 2.583,39*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 3,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Polarisierung: u...

Vishay

SIR164DP-T1-GE3

ab € 2.537,82*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 3,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Polarisierung: u...

Vishay

SIR464DP-T1-GE3

ab € 2.495,46*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 46,5A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 46,5A Widerstand im Leitungszustand: 12,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 31,2W Polarisierung: unipolar Verpackung...

Vishay

SIJ462DP-T1-GE3

ab € 2.474,85*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 48W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 48W Polarisierung: uni...

Vishay

SIR166DP-T1-GE3

ab € 2.462,22*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16/35A; 27/48W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 16/35A Widerstand im Leitungszustand: 9/4,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 27/48W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ710DT-T1-GE3

ab € 2.454,54*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 165A; Idm: 300A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 165A Widerstand im Leitungszustand: 3,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung:...

Vishay

SIR626ADP-T1-RE3

ab € 2.383,71*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 3,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Polarisierung: u...

Vishay

SIR862DP-T1-GE3

ab € 2.347,11*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 80A; 69W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 3,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Polarisierung: u...

Vishay

SIR818DP-T1-GE3

ab € 2.319,42*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 200A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 7,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 56,8W Polarisierung:...

Vishay

SIR670DP-T1-GE3

ab € 2.261,19*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 3,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36,7W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...

Vishay

SIJA54DP-T1-GE3

ab € 2.254,05*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 136W Polarisierung: unipolar ...

Vishay

SQD100N04-3M6L-GE3

ab € 2.226,34*
pro 2.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 100A; Idm: 250A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 4,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83,3W Polarisierung...

Vishay

SIR584DP-T1-RE3

ab € 2.193,27*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12/16A; 20/30W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12/16A Widerstand im Leitungszustand: 30/17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20/30W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ704DT-T1-GE3

ab € 2.186,88*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 150A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 11,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...

Vishay

SIJ478DP-T1-GE3

ab € 2.163,63*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 9,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69,4W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...

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SIJ482DP-T1-GE3

ab € 2.163,06*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 133A Widerstand im Leitungszustand: 2,65mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisierun...

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SIR112DP-T1-RE3

ab € 2.154,09*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 48W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 6,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 48W Polarisierung: u...

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SIR460DP-T1-GE3

ab € 2.101,95*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 75A; Idm: 300A; 83W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 75A Widerstand im Leitungszustand: 8,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art...

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SQJ422EP-T1_BE3

ab € 2.097,81*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 70A; 36W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisierung: uni...

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SIR402DP-T1-GE3

ab € 2.008,89*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 131A; Idm: 200A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 131A Widerstand im Leitungszustand: 2,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 48W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...

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SIJA52ADP-T1-GE3

ab € 2.007,93*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 57W (1 Angebot)

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SIR186DP-T1-RE3

ab € 1.973,46*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28/11A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 28/11A Widerstand im Leitungszustand: 16,5/32mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 31/16,7W Polarisierung: unipolar ...

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SIZ300DT-T1-GE3

ab € 1.915,41*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 19A; Idm: 75A; 6W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 19A Widerstand im Leitungszustand: 15mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 6W Polarisierung: unipolar Verp...

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SQ4050EY-T1_GE3

ab € 1.876,85*
pro 2.500 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 18,6A; Idm: 50A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 18,6A Widerstand im Leitungszustand: 64mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 52W Polarisierung:...

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SIR624DP-T1-RE3

ab € 1.860,69*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 14,2A; Idm: 30A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 14,2A Widerstand im Leitungszustand: 99mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 48W Polarisierung:...

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SIR618DP-T1-GE3

ab € 1.856,55*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 58,8A; Idm: 150A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 58,8A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 56,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...

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SIJ470DP-T1-GE3

ab € 1.852,65*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 50W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 9,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 50W Polarisierung: u...

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SIR664DP-T1-GE3

ab € 1.835,58*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 16,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 375W Polarisierung: unipol...

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SUM90142E-GE3

ab € 1.758,632*
pro 800 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 109A; Idm: 150A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 109A Widerstand im Leitungszustand: 3,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 56,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...

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SIJA58DP-T1-GE3

ab € 1.743,06*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 45A; Idm: 90A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 45A Widerstand im Leitungszustand: 163mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 375W Polarisierung: unipola...

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SUM45N25-58-E3

ab € 1.576,624*
pro 800 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W (1 Angebot)

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SUD35N10-26P-E3

ab € 1.570,16*
pro 2.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33,8A; Idm: 80A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 33,8A Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65,7W Polarisierun...

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SIR5708DP-T1-RE3

ab € 1.468,32*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 109A; Idm: 150A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 109A Widerstand im Leitungszustand: 3,95mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 56,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...

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SIJA58ADP-T1-GE3

ab € 1.436,13*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 12mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 29,8W Polarisierung: ...

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SIR474DP-T1-GE3

ab € 1.404,00*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 63A; Idm: 66A; 136W (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 63A Widerstand im Leitungszustand: 34mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 136W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art...

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SQJ170ELP-T1_GE3

ab € 1.370,43*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 30A; Idm: 60A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19,2W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...

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SIAA40DJ-T1-GE3

ab € 1.366,50*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 12A; Idm: 40A; 19W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 8V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 41mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: ...

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SIA414DJ-T1-GE3

ab € 1.365,36*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30/40A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 30/40A Widerstand im Leitungszustand: 12,7/6,58mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unipola...

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SIZ320DT-T1-GE3

ab € 1.335,18*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 4,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65,7W Polarisierung:...

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SIR188DP-T1-RE3

ab € 1.303,44*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 177A; Idm: 150A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 177A Widerstand im Leitungszustand: 4,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisierung...

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SIR800ADP-T1-RE3

ab € 1.273,17*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33,4A; 16,7W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 33,4A Widerstand im Leitungszustand: 14,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpack...

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SIZ342ADT-T1-GE3

ab € 1.212,93*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 110A; Idm: 271A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 9,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 113W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...

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SQS142ENW-T1_GE3

ab € 1.192,26*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 75A; Idm: 130A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 75A Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 187W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art...

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SQJ164ELP-T1_GE3

ab € 1.190,55*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 52,1A; Idm: 150A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 52,1A Widerstand im Leitungszustand: 12,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 43W Polarisierung...

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SIR4602LDP-T1-RE3

ab € 1.161,87*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 9,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipola...

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SUM70090E-GE3

ab € 1.085,36*
pro 800 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 80A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 7,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19,2W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...

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SIAA00DJ-T1-GE3

ab € 1.032,57*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 7,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: unipolar ...

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SUD50N03-06AP-E3

ab € 934,20*
pro 2.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 41mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polarisierung: unipolar...

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SUM60N10-17-E3

ab € 915,92*
pro 800 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 37,8A; Idm: 70A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 37,8A Widerstand im Leitungszustand: 11,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...

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SIA468DJ-T1-GE3

ab € 823,08*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 16A; Idm: 54A; 27W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 73mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 27W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art:...

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SQSA84CENW-T1_GE3

ab € 784,62*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 26,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19,2W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...

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SIA472EDJ-T1-GE3

ab € 757,53*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 60A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 10,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 29,8W Polarisierung...

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SIR172ADP-T1-GE3

ab € 732,93*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4,5A; Idm: 30A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 7,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...

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SIA928DJ-T1-GE3

ab € 667,86*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A; 39W (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 39W Polarisierung: uni...

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SIR418DP-T1-GE3

ab € 7,28*
pro 10 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12/16A; 20/33W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12/16A Widerstand im Leitungszustand: 30/17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20/33W Polarisierung: unipolar Verp...

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SIZ904DT-T1-GE3

ab € 6,79*
pro 10 Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 55A; 202W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 8x8L Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 14A Widerstand im Leitungszustand: 158mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 202W Polarisierung...

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SIHH24N65EF-T1-GE3

ab € 5,68*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 133A; 278W (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1012 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 52mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 278W Polarisierung:...

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SIHK045N60EF-T1GE3

ab € 5,11*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 47A; 174W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 8x8L Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,185Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 174W Polarisierun...

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SIHH27N60EF-T1-GE3

ab € 4,92*
pro Stück

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