N-Kanal-Transistoren SMD Vishay bei Mercateo günstig kaufen

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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 302A; Idm: 500A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 8x8L Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 302A Widerstand im Leitungszustand: 1,58mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 333W Polarisierun...

Vishay

SIJH5800E-T1-GE3

ab € 8.645,40*
pro 2.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 75V; 60A; Idm: 80A; 125W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 12,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...

Vishay

SIE818DF-T1-E3

ab € 8.514,30*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 277A; Idm: 500A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 8x8L Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 277A Widerstand im Leitungszustand: 2,14mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 333W Polarisieru...

Vishay

SIJH5100E-T1-GE3

ab € 7.453,62*
pro 2.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 75V; 60A; Idm: 80A; 125W (1 Angebot)

Vishay

SIE818DF-T1-GE3

ab € 7.181,13*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 2,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...

Vishay

SIE808DF-T1-E3

ab € 6.635,70*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 2,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...

Vishay

SIE802DF-T1-E3

ab € 6.219,39*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 2,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...

Vishay

SIDR626DP-T1-RE3

ab € 5.666,13*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 3,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...

Vishay

SIE812DF-T1-E3

ab € 5.544,63*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot)

Vishay

SIE812DF-T1-GE3

ab € 5.544,63*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 104W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 5,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...

Vishay

SIE822DF-T1-E3

ab € 5.363,13*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 421A; Idm: 500A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 421A Widerstand im Leitungszustand: 0,68mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...

Vishay

SIDR500EP-T1-RE3

ab € 5.211,63*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 39,6A; Idm: 80A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 39,6A Widerstand im Leitungszustand: 33,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackung...

Vishay

SIDR610DP-T1-RE3

ab € 4.560,72*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 7,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung:...

Vishay

SIR870DP-T1-GE3

ab € 4.484,13*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 10,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...

Vishay

SIR804DP-T1-GE3

ab € 4.211,70*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 8,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung:...

Vishay

SIR846DP-T1-GE3

ab € 4.060,20*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 53,7A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 53,7A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...

Vishay

SIR872DP-T1-GE3

ab € 3.939,00*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 153A; Idm: 300A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 153A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art...

Vishay

SIDR5802EP-T1-RE3

ab € 3.908,70*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 80A; 83W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 2,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: u...

Vishay

SIR438DP-T1-GE3

ab € 3.817,83*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 35,4A; Idm: 80A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 35,4A Widerstand im Leitungszustand: 33,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisieru...

Vishay

SIR610DP-T1-RE3

ab € 3.729,57*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 8,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung: ...

Vishay

SIR880DP-T1-GE3

ab € 3.726,93*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 100A; 83W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: uni...

Vishay

SIR688DP-T1-GE3

ab € 3.576,27*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 200A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 9,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: ...

Vishay

SIR846ADP-T1-GE3

ab € 3.484,50*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 3,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Polarisierung: u...

Vishay

SIR800DP-T1-RE3

ab € 3.429,21*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 110A; Idm: 300A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 5,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...

Vishay

SIR5102DP-T1-RE3

ab € 3.363,33*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 204A; Idm: 300A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 204A Widerstand im Leitungszustand: 2,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...

Vishay

SIDR626LDP-T1-RE3

ab € 3.333,60*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W (1 Angebot)

Vishay

SIR800DP-T1-GE3

ab € 3.278,10*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 2,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83,3W Polarisierung:...

Vishay

SIR180DP-T1-RE3

ab € 3.246,30*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 65,8A; Idm: 150A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 65,8A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83,3W Polarisierung...

Vishay

SIR106DP-T1-RE3

ab € 3.244,68*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 65A; 250W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 156mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polarisierung: u...

Vishay

SIHB24N65EFT1-GE3

ab € 3.155,376*
pro 800 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 92,4A; Idm: 150A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 92,4A Widerstand im Leitungszustand: 4,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65,7W Polarisierung: unipolar Verpackungs...

Vishay

SIJ188DP-T1-GE3

ab € 3.124,47*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 1,16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...

Vishay

SIR638DP-T1-RE3

ab € 3.121,14*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A; 48W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 2,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 48W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art...

Vishay

SIJA52DP-T1-GE3

ab € 2.918,01*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A; 83W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 8,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: u...

Vishay

SIR880ADP-T1-GE3

ab € 2.822,13*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 37A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 37A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 44,5W Polarisierung:...

Vishay

SIR606DP-T1-GE3

ab € 2.794,83*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 51,6A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 51,6A Widerstand im Leitungszustand: 20,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisieru...

Vishay

SIR622DP-T1-GE3

ab € 2.763,60*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 45A; Idm: 80A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 45A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65,7W Polarisierung:...

Vishay

SIR108DP-T1-RE3

ab € 2.760,96*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66,6A; Idm: 150A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 66,6A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65,7W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...

Vishay

SISS5808DN-T1-GE3

ab € 2.758,65*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 37,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: unipola...

Vishay

SUD35N10-26P-GE3

ab € 2.677,58*
pro 2.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W (1 Angebot)

Vishay

SUD35N10-26P-BE3

ab € 2.668,20*
pro 2.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 21mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 3,9W Polarisierung: unipolar ...

Vishay

SQ4282EY-T1_BE3

ab € 2.659,175*
pro 2.500 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 27,5W Polarisierung: u...

Vishay

SIR820DP-T1-GE3

ab € 2.640,21*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 14,5/8,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 29/66W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ902DT-T1-GE3

ab € 2.585,70*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 3,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Polarisierung: u...

Vishay

SIR164DP-T1-GE3

ab € 2.523,24*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 3,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Polarisierung: u...

Vishay

SIR464DP-T1-GE3

ab € 2.485,44*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 46,5A; Idm: 100A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 46,5A Widerstand im Leitungszustand: 12,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 31,2W Polarisierung: unipolar Verpackung...

Vishay

SIJ462DP-T1-GE3

ab € 2.463,51*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 48W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 48W Polarisierung: uni...

Vishay

SIR166DP-T1-GE3

ab € 2.461,29*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16/35A; 27/48W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 16/35A Widerstand im Leitungszustand: 9/4,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 27/48W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ710DT-T1-GE3

ab € 2.459,97*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 116A; Idm: 300A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 116A Widerstand im Leitungszustand: 3,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 92,5W Polarisierung...

Vishay

SIR582DP-T1-RE3

ab € 2.374,86*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 165A; Idm: 300A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 165A Widerstand im Leitungszustand: 3,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung:...

Vishay

SIR626ADP-T1-RE3

ab € 2.374,50*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 80A; 69W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 3,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Polarisierung: u...

Vishay

SIR818DP-T1-GE3

ab € 2.344,35*
pro 3.000 Stück

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