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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.886 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 120ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 0,74Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 200W...
IXYS
IXFA10N60P
ab € 2,03*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 14A Widerstand im Leitungszustand: 0,55Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polarisierung: unipolar ...
IXYS
IXFA14N60P
ab € 2,53*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 1,44Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 200W ...
IXYS
IXFA7N80P
ab € 1,87*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 0,42Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 660W...
IXYS
IXFT24N90P
ab € 10,22*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 30A; Idm: 110A; 694W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 245mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 694W P...
IXYS
MMIX1F44N100Q3
ab € 40,18*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: SOT223 Drain-Source Spannung: 650V Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Einheitspreis: Nein Technologie: SJMOS™ C4 Ka...
WAYON
WMF07N65C4
ab € 0,34*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: SOT223 Drain-Source Spannung: 650V Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Einheitspreis: Nein Technologie: SJMOS™ C4 Ka...
WAYON
WMF10N65C4
ab € 0,39*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7,6A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOP8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 7,6A Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 3,3W Polarisieru...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS12N10A
ab € 0,19*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: DFN5x6 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 29W Polarisieru...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG15N15B
ab € 0,164*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 2,9A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOP8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 2,9A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 3,1W Polarisieru...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS05N15B
ab € 0,166*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: DFN5060-8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 34A Widerstand im Leitungszustand: 12mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 30W Polarisie...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG53G06A
ab € 0,13*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 44A; 28W (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: DFN5060-8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 9,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 28W Polarisi...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG70G06A
ab € 1,095*
pro 5 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: DFN5060-8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 38W Polarisier...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG80G06A
ab € 0,29*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42,5W (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 56A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42,5W Polarisieru...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJD80G06A
ab € 0,18*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 7,5A; SOP8 (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOP8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 7,5A Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,24W Polarisieru...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS12G06A
ab € 0,107*
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