N-Kanal-Transistoren SMD (4.841 Artikel)

Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band Kanal-Art: stark

Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band Kanal-Art: stark

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 3,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisierung...

Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT23-3 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,15A Widerstand im Leitungszustand: 7,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,34W Polari...

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 5,1A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: unipolar Technologie: HEXFET® ...

Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 83A Widerstand im Leitungszustand: 8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 106W Polar...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Montage...

Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 0,3Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 75W Polarisierung: unipolar V...

Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 85W Polarisierung: unipolar V...

Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 4,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 63W Polarisierung: unipolar ...

Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Montage: SMD Gehäuse: VSONP8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 23W Polarisierun...

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 74W Polarisierung: un...

Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN5x6 Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 8,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,17Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33W ...

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: WDFN8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Ve...

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: Power56 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 5,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62W Polarisierung: unipola...