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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2,6A; 2,5W; SO8 (1 Angebot) Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 2,6A Widerstand im Leitungszustand: 146mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: unipolar... |
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8 (3 Angebote) Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: PQFN8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 3,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 41W Polarisierung: unipolar ... |
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; 23W; PDFN56 (1 Angebot) Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: PDFN56 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 23W Polarisier... |
Taiwan Semiconductor TSM110NB04CR RLG |
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 88W; DPAK (1 Angebot) Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 65A Widerstand im Leitungszustand: 4,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 88W Polarisierung: unipolar ... |
Toshiba TK65S04K3L(T6L1,NQ |
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 89A; 31W; DFN5x6 (1 Angebot) Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN5x6 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 89A Widerstand im Leitungszustand: 3,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 31W Po... |
Alpha & Omega Semiconductor AON6144 |
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK (1 Angebot) Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 110W Polarisierung... |
ST Microelectronics STD60NF55LT4 |
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62,5W; DPAK (2 Angebote) Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisierung: unipolar ... |
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 23W; PDFN56 (1 Angebot) Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: PDFN56 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 23W Polarisieru... |
Taiwan Semiconductor TSM220NB06LCR RLG |
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK (4 Angebote) Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 80A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 140W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rolle... |
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