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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.883 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TDSON-8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polar...
Infineon
BSC030N04NSGATMA1
ab € 0,36*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: Power56 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 1,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung: unipo...
onsemi
FDMS015N04B
ab € 1,68*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 139W (1 Angebot) 
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Montage: SMD Gehäuse: VSON-CLIP8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 2,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche ...
Texas Instruments
CSD18512Q5BT
ab € 1,19*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 546A; 117W (3 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 2,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 117W Po...
Nexperia
PSMN3R3-40YS,115
ab € 0,426*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 591A; 167W (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 7,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbran...
Nexperia
BUK9Y3R5-40E,115
ab € 0,486*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 658A; 75W; Power33 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: Power33 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 3,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 75W Polarisierung: unipol...
onsemi
FDMC8360LET40
ab € 1,19*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 885A; 263W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;SOT404 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 5,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Verlust...
Nexperia
BUK962R6-40E,118
ab € 1,66*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 962A; 306W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;SOT404 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 3,76mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 306W Polarisierun...
Nexperia
PSMN2R2-40BS,118
ab € 1,53*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; Idm: 320A; 56W; PQFN8 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: PQFN8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 108A Widerstand im Leitungszustand: 4,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 56W Polarisierung: unipolar...
onsemi
FDMC8321LDC
ab € 2,27*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; 19W; PDFN56 (1 Angebot) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: PDFN56 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 15mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19W Polarisier...
Taiwan Semiconductor
TSM150NB04LCR RLG
ab € 0,58*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; 19W; PDFN56 (1 Angebot) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: PDFN56 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 15mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19W Polarisier...
Taiwan Semiconductor
TSM150NB04CR RLG
ab € 0,58*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; 19W; PDFN56U (2 Angebote) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: PDFN56U Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 26mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19W Polarisie...
Taiwan Semiconductor
TQM150NB04CR RLG
ab € 0,332*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 80A; 2,4W; MicroFET (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: MicroFET Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,4W Polarisierung: unipol...
onsemi
FDMA8051L
ab € 0,38*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11,4A; Idm: 80A; 2,45W (3 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: PowerDI3333-8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 11,4A Widerstand im Leitungszustand: 15mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,45W ...
Diodes
DMN4010LFG-7
ab € 0,207*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 188W; D2PAK (1 Angebot) 
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 4,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 188W Polarisieru...
Texas Instruments
CSD18511KTT
ab € 1,01*
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