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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.841 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 465A; 103W (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;SOT404 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 6,65mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 103W Polarisierun...
Nexperia
PSMN4R3-30BL,118
ab € 0,65*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 160W; DPAK (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 6,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 160W Polarisierung: unipolar ...
onsemi
FDD8870
ab € 0,65*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TSDSON-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 2,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Pol...
Infineon
BSZ0901NSIATMA1
ab € 0,65*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 420A; 35W; QFN5x6 (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: QFN5x6 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 2,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Ve...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI110N03PQ-AQ
ab € 0,65*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2,5W; SO8 (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 18A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rolle ...
Infineon
IRF7842TRPBF
ab € 0,65*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; D2PAK,TO263 (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 5A Widerstand im Leitungszustand: 1,4Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 74W Polarisierung: unip...
Vishay
IRF830ASPBF
ab € 0,65*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4,4A; 125W; D2PAK (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 4,4A Widerstand im Leitungszustand: 0,95Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisie...
ST Microelectronics
STB9NK60ZT4
ab € 0,65*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 0,36Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 41W Polarisie...
Infineon
IPB60R360P7ATMA1
ab € 0,65*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7,3A; 63W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 7,3A Widerstand im Leitungszustand: 0,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 63W Pol...
Infineon
IPD65R600E6ATMA1
ab € 0,65*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7,3A; 63W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 7,3A Widerstand im Leitungszustand: 0,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 63W Pol...
Infineon
IPD65R600E6BTMA1
ab € 0,65*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7,3A; 63W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 7,3A Widerstand im Leitungszustand: 0,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 63W Pol...
Infineon
IPD65R600C6BTMA1
ab € 0,65*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1,1A; Idm: 6,8A; 54W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 1,1A Widerstand im Leitungszustand: 8Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 54W Polarisierung: unip...
Vishay
IRFBF20SPBF
ab € 0,65*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: PDFN5060-8 Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band Kanal-Art: stark
WAYON
WMB115N15LG4
ab € 0,65*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 55,9A; Idm: 120A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 55,9A Widerstand im Leitungszustand: 12,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65,7W Polarisierung: unipolar Verpackun...
Vishay
SISS5108DN-T1-GE3
ab € 0,652*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 117A; Idm: 200A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 117A Widerstand im Leitungszustand: 3,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69,4W Polarisierung...
Vishay
SIR182DP-T1-RE3
ab € 0,654*
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