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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.868 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 96A; Idm: 545A; 148W (3 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;SOT404 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 96A Widerstand im Leitungszustand: 8,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 148W Polarisierung:...
Nexperia
PSMN4R5-40BS,118
k.A.
ab € 0,735*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 205A; Idm: 1163A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 205A Widerstand im Leitungszustand: 2,87mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 172W P...
Nexperia
PSMN1R2-25YLDX
k.A.
ab € 0,736*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TSDSON-8 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 1,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Pol...
Infineon
BSZ018NE2LSIATMA1
k.A.
ab € 0,739*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 1,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 34,7W Pol...
Vishay
SIRC16DP-T1-GE3
k.A.
ab € 0,74*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2,2A; Idm: 8A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 2,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,26Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: unipolar...
Vishay
SI4464DY-T1-E3
k.A.
ab € 0,74*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 150A; 36W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 2,24mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisierun...
Vishay
SISS28DN-T1-GE3
k.A.
ab € 0,74*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 13A; 130W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 0,48Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 130W Polarisierung: unipolar...
WAYON
WMM13N80M3
k.A.
ab € 0,74*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 30A; 31W; WDFN8 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: WDFN8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 98mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 31W Polarisierung: unipolar ...
onsemi
FDMC8622
k.A.
ab € 0,74*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 92A; 98W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;SOT404 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 188mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Verlust...
Nexperia
BUK9675-100A,118
k.A.
ab € 0,74*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7,1A; 4,31W; TO252 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 7,1A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 4,31W Polarisi...
Diodes
ZXMN10A09KTC
k.A.
ab € 0,74*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 33A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 144W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rol...
Infineon
IRFS4615TRLPBF
k.A.
ab € 0,74*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15,2A; 62,5W; PG-TSDSON-8 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TSDSON-8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 15,2A Widerstand im Leitungszustand: 90mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W...
Infineon
BSZ900N20NS3GATMA1
k.A.
ab € 0,74*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7,1A; 66W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 7,1A Widerstand im Leitungszustand: 0,52Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 66W Po...
Infineon
IPD50R520CPATMA1
k.A.
ab € 0,74*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7,1A; 66W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 7,1A Widerstand im Leitungszustand: 0,52Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 66W Po...
Infineon
IPD50R520CPBTMA1
k.A.
ab € 0,74*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,35A; Idm: 1A; 0,5W (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SOT457;SOT26 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,35A Widerstand im Leitungszustand: 2,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,5W ...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
MMFTN620KD
k.A.
ab € 0,74*
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