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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.839 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268; 400ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 400ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 460W ...
IXYS
IXTT30N50P
k.A.
ab € 3,87*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 690W Polarisierung: unipolar V...
IXYS
IXFT30N50Q3
k.A.
ab € 9,13*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0,03A; 1,6W (3 Angebote) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT89-3 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 30mA Widerstand im Leitungszustand: 1kΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,6W Polaris...
Microchip Technology
LND150N8-G
k.A.
ab € 0,56*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 35A; Idm: 140A; 403W; D3PAK (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 0,14Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 403W Polaris...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5014SLLG
k.A.
ab € 15,55*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 0,17Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 540W Polarisierung: unipolar ...
IXYS
IXFT36N50P
k.A.
ab € 6,13*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO268; 400ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 400ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 0,17Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 540W...
IXYS
IXTT36N50P
k.A.
ab € 7,19*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO263; 24ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 24ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 3A Widerstand im Leitungszustand: 1,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Po...
IXYS
IXTA3N50D2
k.A.
ab € 2,25*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 45W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 3A Widerstand im Leitungszustand: 0,79Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 45W Polarisierung...
ST Microelectronics
STD8NM50N
k.A.
ab € 0,39*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 3A Widerstand im Leitungszustand: 3,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;R...
WAYON
WMO3N50D1
k.A.
ab € 0,295*
pro 5 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4,2A; 5W; PG-SOT223 (2 Angebote) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: INFINEON TEC...
Infineon
IPN50R950CEATMA1
k.A.
ab € 0,226*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4,3A; 34W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 4,3A Widerstand im Leitungszustand: 0,95Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 34W Po...
Infineon
IPD50R950CEATMA1
k.A.
ab € 0,206*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4,8A; 5W; PG-SOT223 (2 Angebote) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: INFINEON TEC...
Infineon
IPN50R800CEATMA1
k.A.
ab € 0,18*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4,8A; Idm: 24A; 57W; DPAK (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 4,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 57W Polarisie...
Infineon
IPD50R500CEAUMA1
k.A.
ab € 0,29*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO268; 500ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 0,5µs Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 0,17Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 540W...
IXYS
IXTT40N50L2
k.A.
ab € 12,93*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 0,145Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 830W Polarisierung: unipolar...
IXYS
IXFT42N50P2
k.A.
ab € 6,14*
pro Stück
 
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