Kategorien
Deutschland
Deutsch
Konto
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  >  >  > N-Kanal-Transistoren SMD

  N-Kanal-Transistoren SMD (4.841 Artikel)

Folgende Filter helfen, die Artikelliste nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis€  Wort 
Funktionen
☐
Anzeige
☐
☑
☐
☐
Bild
Artikel ^v
Angebote ^v
Hersteller/-Nr. ^v
Preis ^v
Bestellen
zurück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252 (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 368mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 78W Polarisierung: unip...
2
Vishay
SIHD9N60E-GE3
ab € 0,802*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,2A; 125W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W ...
1
Alpha & Omega Semiconductor
AOD380A60
ab € 1,61*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,6A; 90W; D2PAK; ESD (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7,6A Widerstand im Leitungszustand: 0,295Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 90W Polarisie...
3
ST Microelectronics
STB18N60DM2
ab € 1,19*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,8A; 147W; D2PAK,TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 147W Polarisierung: ...
1
Vishay
SIHB12N60E-GE3
ab € 1,00*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,8A; Idm: 27A; 147W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 147W Polarisierung: ...
1
Vishay
SIHB12N60ET1-GE3
ab € 1,18*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,9A; Idm: 36A; 125W; Power88 (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: Power88 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,299Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: uni...
2
onsemi
FCMT299N60
ab € 1,40*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 700mA; 2,1W; SOT223 (1 Angebot) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SOT223 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 0,7A Widerstand im Leitungszustand: 10Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,1W Polarisi...
1
Taiwan Semiconductor
TSM1NB60CW RPG
ab € 0,40*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 700mA; 39W; DPAK (2 Angebote) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 0,7A Widerstand im Leitungszustand: 10Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 39W Polarisieru...
2
Taiwan Semiconductor
TSM1NB60CP ROG
ab € 0,37*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 70mA; Idm: 0,2A; 1,1W; SOT23 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 70mA Widerstand im Leitungszustand: 0,29Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,1W Polarisi...
2
Diodes
DMN60H080DS-7
ab € 0,0829*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 110W Polarisieru...
2
ST Microelectronics
STB13N60M2
ab € 0,97*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 110W Polarisierun...
2
ST Microelectronics
STD13N60M2
ab € 0,807*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; DFN4 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN4 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Ga...
1
Alpha & Omega Semiconductor
AOV11S60
ab € 0,95*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; D2PAK (2 Angebote) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 1,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 78W Polarisierung...
2
ROHM Semiconductor
R6007ENJTL
ab € 0,876*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; D2PAK (1 Angebot) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 780mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 96W Polarisierun...
1
ROHM Semiconductor
R6007JNJGTL
ab € 0,90*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 27A; 114W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 8x8L Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 357mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 114W Polarisierung:...
1
Vishay
SIHH11N60EF-T1-GE3
ab € 2,60*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   ..   241   242   243   244   245   246   247   248   249   250   251   ..   323   vorwärts
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.