Kategorien
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren
Warenkorb
 
 
 >  >  >  >  >  > N-Kanal-Transistoren SMD

  N-Kanal-Transistoren SMD (4.839 Artikel)

Folgende Filter helfen, die Artikelliste nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis  Wort 
Funktionen
☐
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Bestellen
zurück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 46,5A; Idm: 150A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 46,5A Widerstand im Leitungszustand: 9,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36,3W Polarisie...
Vishay
SISS588DN-T1-GE3
ab € 0,43*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50,3A; Idm: 120A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 50,3A Widerstand im Leitungszustand: 8,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisieru...
Vishay
SISS32ADN-T1-GE3
ab € 0,58*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50,3A; Idm: 150A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 50,3A Widerstand im Leitungszustand: 9,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisieru...
Vishay
SISS32LDN-T1-GE3
ab € 0,434*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50,3A; Idm: 150A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 50,3A Widerstand im Leitungszustand: 8,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisieru...
Vishay
SISS32DN-T1-GE3
ab € 0,482*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 56,8A; Idm: 120A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 56,8A Widerstand im Leitungszustand: 10,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisieru...
Vishay
SIR124DP-T1-RE3
ab € 0,482*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 59,6A; Idm: 150A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 59,6A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65,7W Polarisierung:...
Vishay
SIR122DP-T1-RE3
ab € 0,415*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 8,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung: ...
Vishay
SIR880DP-T1-GE3
ab € 3.675,66*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 9,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69,4W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...
Vishay
SIJ482DP-T1-GE3
ab € 2.156,37*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A; 83W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 8,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: u...
Vishay
SIR880ADP-T1-GE3
ab € 2.827,26*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 150A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 11,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
Vishay
SIJ478DP-T1-GE3
ab € 2.158,02*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 62,3A; Idm: 150A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 62,3A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65,7W Polarisierung:...
Vishay
SIR122LDP-T1-RE3
ab € 0,418*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66,6A; Idm: 150A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 66,6A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65,7W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
Vishay
SISS5808DN-T1-GE3
ab € 2.744,40*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 80,8A; Idm: 200A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 80,8A Widerstand im Leitungszustand: 6,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung:...
Vishay
SIR826BDP-T1-RE3
ab € 0,63*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 86A; Idm: 200A; 83W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 86A Widerstand im Leitungszustand: 6,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: u...
Vishay
SIR826LDP-T1-RE3
ab € 0,663*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 12A; Idm: 40A; 19W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 8V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 41mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: ...
Vishay
SIA414DJ-T1-GE3
ab € 1.365,15*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   323   vorwärts
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.