MOSFET Transistormodule IXYS bei Mercateo günstig kaufen

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Modul; Diode/Transistor; 500V; 130A; V2-Pack; Press-in PCB; 1,38kW (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: V2-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Verlustleistung: 1,38kW Polarisierung: ...

IXYS

VUM85-05A

ab € 104,94*
pro Stück

Modul; Diode/Transistor; 500V; 35A; V1-A-Pack; Idm: 95A; 36W; 350nC (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Verlustleistung: 36W Polarisierung: u...

IXYS

VUM25-05E

ab € 32,03*
pro Stück

Modul; Diode/Transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; 500W; 165nC (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-B-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Verlustleistung: 500W Polarisierung: ...

IXYS

VUM33-06PH

ab € 51,87*
pro Stück

Modul; Transistor/Transistor; 100V; 500A; Y3-Li; HiPerFET™ (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-Li Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 500A Widerstand im Leitungszustand: 1,8mΩ Polarisierung: unipolar Elektrische...

IXYS

VMM650-01F

ab € 377,32*
pro Stück

Modul; Transistor/Transistor; 300V; 220A; Y3-DCB; Idm: 1,16kA (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 220A Widerstand im Leitungszustand: 7,4mΩ Verlustleistung: 1,5kW Polarisieru...

IXYS

VMM300-03F

ab € 283,89*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; -100V; -210A; SOT227B; schraubbar (2 Angebote)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -210A Widerstand im Leitungszustand: 7,5mΩ Verlust...

IXYS

IXTN210P10T

ab € 34,71*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; -200V; -106A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: -200V Drainstrom: -106A Widerstand im Leitungszustand: 30mΩ Verlustl...

IXYS

IXTN120P20T

ab € 41,10*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; -500V; -40A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 477ns Drain-Source Spannung: -500V Drainstrom: -40A Widerstand im Leitungszustand: 0,23Ω Verlustl...

IXYS

IXTN40P50P

ab € 25,40*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; -600V; -32A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 480ns Drain-Source Spannung: -600V Drainstrom: -32A Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω Verlustl...

IXYS

IXTN32P60P

ab € 28,69*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1,1kV; 34A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot)

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...

IXYS

IXFN40N110P

ab € 33,97*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1,1kV; 35A; SOT227B; schraubbar; 960W (1 Angebot)

IXYS

IXFN40N110Q3

ab € 31,08*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 15A; SOT227B; schraubbar; 540W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1,83µs Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 0,9Ω Verlustle...

IXYS

IXTN17N120L

ab € 49,89*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 20A; SOT227B; schraubbar; 595W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 570mΩ Verlustle...

IXYS

IXFN20N120P

ab € 35,37*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 21,5A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 21,5A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Polarisierung: unipolar Elektrisc...

IXYS

IXFN27N120SK

ab € 40,50*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 23A; SOT227B; schraubbar; 695W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Verlustlei...

IXYS

IXFN26N120P

ab € 44,74*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 26ns (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 26ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Polarisieru...

IXYS

IXFN50N120SIC

ab € 64,15*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω Verlustle...

IXYS

IXFN30N120P

ab € 50,11*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 32A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 32A Widerstand im Leitungszustand: 0,31Ω Verlustle...

IXYS

IXFN32N120P

ab € 59,74*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 48A; SOT227B; schraubbar; SiC (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 54ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 48A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Polarisieru...

IXYS

IXFN50N120SK

ab € 63,89*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1,7µs Drain-Source Spannung: 1,5kV Drainstrom: 7,5A Widerstand im Leitungszustand: 3,6Ω Verlustle...

IXYS

IXTN8N150L

ab € 45,78*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1,7kV; 67A; SOT227B; schraubbar; SiC (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,7kV Drainstrom: 67A Widerstand im Leitungszustand: 23mΩ Polarisierung: unipolar Elektrische...

IXYS

IXFN90N170SK

ab € 346,21*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 100V; 178A; SOT227B; schraubbar; 830W (2 Angebote)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 245ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 178A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustlei...

IXYS

IXTN200N10L2

ab € 35,91*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 100V; 200A; SOT227B; schraubbar; 550W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 76ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 200A Widerstand im Leitungszustand: 5,5mΩ Verlustlei...

IXYS

IXTN200N10T

ab € 26,03*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 100V; 200A; SOT227B; schraubbar; 680W (2 Angebote)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 200A Widerstand im Leitungszustand: 7,5mΩ Verlustle...

IXYS

IXFN200N10P

ab € 19,15*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 100V; 295A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 295A Widerstand im Leitungszustand: 5,5mΩ Verlustle...

IXYS

IXFN300N10P

ab € 34,04*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 100V; 360A; SOT227B; schraubbar; 830W (2 Angebote)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 130ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 360A Widerstand im Leitungszustand: 2,6mΩ Verlustle...

IXYS

IXFN360N10T

ab € 20,02*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 100V; 420A; SOT227B; schraubbar (3 Angebote)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 140ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 420A Widerstand im Leitungszustand: 2,3mΩ Verlustle...

IXYS

IXFN420N10T

ab € 20,98*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2,2kW (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 590A Widerstand im Leitungszustand: 2,1mΩ Verlustlei...

IXYS

VMO550-01F

ab € 345,77*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 100V; 690A; Y3-DCB; Idm: 2,78kA; 2,5kW (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 690A Widerstand im Leitungszustand: 1,8mΩ Verlustlei...

IXYS

VMO650-01F

ab € 198,56*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 150V; 150A; SOT227B; schraubbar; 680W (3 Angebote)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 150A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustlei...

IXYS

IXFN180N15P

ab € 18,19*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 150V; 240A; SOT227B; schraubbar; 830W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 140ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 240A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Verlustle...

IXYS

IXFN240N15T2

ab € 29,37*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 150V; 310A; SOT227B; schraubbar (2 Angebote)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 310A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Verlustleis...

IXYS

IXFN360N15T2

ab € 35,34*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 150V; 400A; SOT227B; schraubbar; 695W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 132ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 400A Widerstand im Leitungszustand: 2,5mΩ Verlustle...

IXYS

IXFN400N15X3

ab € 36,59*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 170V; 260A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 170V Drainstrom: 260A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Verlustle...

IXYS

IXFN320N17T2

ab € 36,54*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1kV; 22A; SOT227B; schraubbar; 700W (2 Angebote)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1µs Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 22A Widerstand im Leitungszustand: 0,6Ω Verlustleistun...

IXYS

IXTN22N100L

ab € 44,36*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1kV; 23A; SOT227B; schraubbar; 595W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 390mΩ Verlustleis...

IXYS

IXFN26N100P

ab € 43,42*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1kV; 24A; SOT227B; schraubbar; 568W (3 Angebote)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 390mΩ Verlustleis...

IXYS

IXFN24N100

ab € 33,23*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1kV; 27A; SOT227B; schraubbar; 690W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 27A Widerstand im Leitungszustand: 0,32Ω Verlustleis...

IXYS

IXFN32N100P

ab € 27,16*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1kV; 28A; SOT227B; schraubbar; 780W (3 Angebote)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 28A Widerstand im Leitungszustand: 0,32Ω Verlustleis...

IXYS

IXFN32N100Q3

ab € 53,06*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 800W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1µs Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,45Ω Verlustleistu...

IXYS

IXTN30N100L

ab € 64,95*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1kV; 36A; SOT227B; schraubbar; 694W (2 Angebote)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 180ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω Verlustleis...

IXYS

IXFN36N100

ab € 57,48*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1kV; 37A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 37A Widerstand im Leitungszustand: 0,22Ω Verlustleis...

IXYS

IXFN44N100P

ab € 32,51*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1kV; 38A; SOT227B; schraubbar; 1000W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω Verlustleis...

IXYS

IXFN38N100P

ab € 40,51*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1kV; 38A; SOT227B; schraubbar; 960W (2 Angebote)

IXYS

IXFN44N100Q3

ab € 47,20*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 1kV; 44A; SOT227B; schraubbar; 830W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 260ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 0,125Ω Verlustlei...

IXYS

IXFN52N100X

ab € 39,40*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 200V; 100A; SOT227B; schraubbar; 735W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 420ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Verlustlei...

IXYS

IXTN110N20L2

ab € 40,89*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 200V; 115A; SOT227B; schraubbar; 680W (3 Angebote)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 115A Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ Verlustlei...

IXYS

IXFN140N20P

ab € 16,56*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 200V; 160A; SOT227B; schraubbar; 390W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 128ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 160A Widerstand im Leitungszustand: 6,2mΩ Verlustle...

IXYS

IXFN220N20X3

ab € 25,17*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 200V; 220A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 220A Widerstand im Leitungszustand: 7,5mΩ Verlustle...

IXYS

IXFN230N20T

ab € 29,50*
pro Stück

Modul; einzelner Transistor; 200V; 300A; SOT227B; schraubbar; 695W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 172ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 300A Widerstand im Leitungszustand: 3,5mΩ Verlustle...

IXYS

IXFN300N20X3

ab € 42,70*
pro Stück

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