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  MOSFET Transistormodule (102 Artikel)

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Modul; Diode/Transistor; 500V; 130A; V2-Pack; Press-in PCB; 1,38kW (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V2-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Verlustleistung: 1,38kW Polarisierung: ...
IXYS
VUM85-05A
ab € 105,05*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 35A; V1-A-Pack; Idm: 95A; 36W; 350nC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Verlustleistung: 36W Polarisierung: u...
IXYS
VUM25-05E
ab € 32,10*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; 500W; 165nC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-B-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Verlustleistung: 500W Polarisierung: ...
IXYS
VUM33-06PH
ab € 51,88*
pro Stück
Modul; Transistor/Transistor; 100V; 500A; Y3-Li; HiPerFET™ (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-Li Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 500A Widerstand im Leitungszustand: 1,8mΩ Polarisierung: unipolar Elektrische...
IXYS
VMM650-01F
ab € 378,29*
pro Stück
Modul; Transistor/Transistor; 300V; 220A; Y3-DCB; Idm: 1,16kA (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 220A Widerstand im Leitungszustand: 7,4mΩ Verlustleistung: 1,5kW Polarisieru...
IXYS
VMM300-03F
ab € 286,37*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; -100V; -210A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -210A Widerstand im Leitungszustand: 7,5mΩ Verlust...
IXYS
IXTN210P10T
ab € 37,03*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; -200V; -106A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: -200V Drainstrom: -106A Widerstand im Leitungszustand: 30mΩ Verlustl...
IXYS
IXTN120P20T
ab € 40,88*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; -500V; -40A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 477ns Drain-Source Spannung: -500V Drainstrom: -40A Widerstand im Leitungszustand: 0,23Ω Verlustl...
IXYS
IXTN40P50P
ab € 25,43*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; -600V; -32A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 480ns Drain-Source Spannung: -600V Drainstrom: -32A Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω Verlustl...
IXYS
IXTN32P60P
ab € 28,62*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,1kV; 34A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXFN40N110P
ab € 33,80*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,1kV; 35A; SOT227B; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXFN40N110Q3
ab € 31,01*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 15A; SOT227B; schraubbar; 540W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1,83µs Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 0,9Ω Verlustle...
IXYS
IXTN17N120L
ab € 49,81*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 20A; SOT227B; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 570mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN20N120P
ab € 35,47*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 21,5A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 21,5A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Polarisierung: unipolar Elektrisc...
IXYS
IXFN27N120SK
ab € 40,59*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 23A; SOT227B; schraubbar; 695W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Verlustlei...
IXYS
IXFN26N120P
ab € 44,58*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 26ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 26ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Polarisieru...
IXYS
IXFN50N120SIC
ab € 64,40*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω Verlustle...
IXYS
IXFN30N120P
ab € 50,30*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 32A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 32A Widerstand im Leitungszustand: 0,31Ω Verlustle...
IXYS
IXFN32N120P
ab € 60,43*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 48A; SOT227B; schraubbar; SiC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 54ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 48A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Polarisieru...
IXYS
IXFN50N120SK
ab € 63,89*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1,7µs Drain-Source Spannung: 1,5kV Drainstrom: 7,5A Widerstand im Leitungszustand: 3,6Ω Verlustle...
IXYS
IXTN8N150L
ab € 45,76*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,7kV; 67A; SOT227B; schraubbar; SiC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,7kV Drainstrom: 67A Widerstand im Leitungszustand: 23mΩ Polarisierung: unipolar Elektrische...
IXYS
IXFN90N170SK
ab € 346,35*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 178A; SOT227B; schraubbar; 830W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 245ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 178A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustlei...
IXYS
IXTN200N10L2
ab € 36,11*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 200A; SOT227B; schraubbar; 550W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 76ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 200A Widerstand im Leitungszustand: 5,5mΩ Verlustlei...
IXYS
IXTN200N10T
ab € 26,02*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 200A; SOT227B; schraubbar; 680W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 200A Widerstand im Leitungszustand: 7,5mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN200N10P
ab € 19,31*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 295A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 295A Widerstand im Leitungszustand: 5,5mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN300N10P
ab € 33,96*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 360A; SOT227B; schraubbar; 830W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 130ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 360A Widerstand im Leitungszustand: 2,6mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN360N10T
ab € 18,67*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 420A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 140ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 420A Widerstand im Leitungszustand: 2,3mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN420N10T
ab € 23,08*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2,2kW (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 590A Widerstand im Leitungszustand: 2,1mΩ Verlustlei...
IXYS
VMO550-01F
ab € 344,94*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 690A; Y3-DCB; Idm: 2,78kA; 2,5kW (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 690A Widerstand im Leitungszustand: 1,8mΩ Verlustlei...
IXYS
VMO650-01F
ab € 199,74*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 150V; 150A; SOT227B; schraubbar; 680W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 150A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN180N15P
ab € 18,72*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 150V; 240A; SOT227B; schraubbar; 830W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 140ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 240A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN240N15T2
ab € 29,27*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 150V; 310A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 310A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN360N15T2
ab € 38,91*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 150V; 400A; SOT227B; schraubbar; 695W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 132ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 400A Widerstand im Leitungszustand: 2,5mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN400N15X3
ab € 36,55*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 170V; 260A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 170V Drainstrom: 260A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN320N17T2
ab € 36,50*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 22A; SOT227B; schraubbar; 700W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1µs Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 22A Widerstand im Leitungszustand: 0,6Ω Verlustleistun...
IXYS
IXTN22N100L
ab € 49,84*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 23A; SOT227B; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 390mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN26N100P
ab € 43,11*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 24A; SOT227B; schraubbar; 568W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 390mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN24N100
ab € 33,26*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 27A; SOT227B; schraubbar; 690W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 27A Widerstand im Leitungszustand: 0,32Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN32N100P
ab € 27,20*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 28A; SOT227B; schraubbar; 780W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 28A Widerstand im Leitungszustand: 0,32Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN32N100Q3
ab € 54,29*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 800W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1µs Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,45Ω Verlustleistu...
IXYS
IXTN30N100L
ab € 65,12*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 36A; SOT227B; schraubbar; 694W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 180ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN36N100
ab € 62,43*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 37A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 37A Widerstand im Leitungszustand: 0,22Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN44N100P
ab € 32,75*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 38A; SOT227B; schraubbar; 1000W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN38N100P
ab € 40,89*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 38A; SOT227B; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 0,22Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN44N100Q3
ab € 56,08*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 44A; SOT227B; schraubbar; 830W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 260ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 0,125Ω Verlustlei...
IXYS
IXFN52N100X
ab € 39,20*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 100A; SOT227B; schraubbar; 735W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 420ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Verlustlei...
IXYS
IXTN110N20L2
ab € 40,53*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 115A; SOT227B; schraubbar; 680W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 115A Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN140N20P
ab € 18,64*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 160A; SOT227B; schraubbar; 390W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 128ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 160A Widerstand im Leitungszustand: 6,2mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN220N20X3
ab € 25,33*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 220A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 220A Widerstand im Leitungszustand: 7,5mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN230N20T
ab € 29,53*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 300A; SOT227B; schraubbar; 695W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 172ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 300A Widerstand im Leitungszustand: 3,5mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN300N20X3
ab € 42,48*
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