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  MOSFET Transistormodule (336 Artikel)

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Modul; einzelner Transistor; 1kV; 23A; SOT227B; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 390mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN26N100P
k.A.
ab € 43,44*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 24A; SOT227B; schraubbar; 568W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 390mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN24N100
k.A.
ab € 33,33*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; schraubbar; 520W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω Verlustleistung: 520...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10035JLL
k.A.
ab € 48,25*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; schraubbar; 520W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 370mΩ Verlustleistung: 520...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10035JFLL
k.A.
ab € 43,88*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 27A; SOT227B; schraubbar; 690W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 27A Widerstand im Leitungszustand: 0,32Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN32N100P
k.A.
ab € 26,96*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 28A; ISOTOP; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 28A Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω Verlustleistung: 960...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT45M100J
k.A.
ab € 64,54*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 28A; SOT227B; schraubbar; 780W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 28A Widerstand im Leitungszustand: 0,32Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN32N100Q3
k.A.
ab € 53,23*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 30A; ISOTOP; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω Verlustleistung: 595...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10026JFLL
k.A.
ab € 94,31*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 30A; ISOTOP; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,26Ω Verlustleistung: 595...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10026JLL
k.A.
ab € 92,67*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 800W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1µs Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,45Ω Verlustleistu...
IXYS
IXTN30N100L
k.A.
ab € 64,79*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 34A; ISOTOP; schraubbar; 700W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 34A Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω Verlustleistung: 700...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10025JVR
k.A.
ab € 82,38*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 34A; ISOTOP; schraubbar; 700W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 34A Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω Verlustleistung: 700...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10025JVFR
k.A.
ab € 87,18*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 36A; SOT227B; schraubbar; 694W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 180ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN36N100
k.A.
ab € 57,68*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 37A; ISOTOP; schraubbar; 694W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 37A Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω Verlustleistung: 694...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10021JFLL
k.A.
ab € 96,01*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 37A; ISOTOP; schraubbar; 694W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 37A Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω Verlustleistung: 694...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10021JLL
k.A.
ab € 94,79*
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