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  MOSFET Transistormodule (338 Artikel)

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Modul; einzelner Transistor; 1kV; 37A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 37A Widerstand im Leitungszustand: 0,22Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN44N100P
k.A.
ab € 32,59*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 38A; SOT227B; schraubbar; 1000W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN38N100P
k.A.
ab € 40,60*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 38A; SOT227B; schraubbar; 960W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 0,22Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN44N100Q3
k.A.
ab € 47,43*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 42A; ISOTOP; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 0,2Ω Verlustleistung: 960W...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT41F100J
k.A.
ab € 82,96*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 44A; SOT227B; schraubbar; 830W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 260ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 0,125Ω Verlustlei...
IXYS
IXFN52N100X
k.A.
ab € 39,12*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 100A; SOT227B; schraubbar; 735W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 420ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Verlustlei...
IXYS
IXTN110N20L2
k.A.
ab € 40,66*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 104A; ISOTOP; schraubbar; 463W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 104A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Verlustleistung: 46...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M20JFLL
k.A.
ab € 41,66*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 104A; ISOTOP; schraubbar; 463W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 104A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Verlustleistung: 46...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M20JLL
k.A.
ab € 29,32*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 115A; SOT227B; schraubbar; 680W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 115A Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN140N20P
k.A.
ab € 21,11*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 130A; SOT227B; schraubbar; 440W (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszus...
DACO Semiconductor
DAMI160N200
k.A.
ab € 25,26*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 160A; SOT227B; schraubbar; 390W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 128ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 160A Widerstand im Leitungszustand: 6,2mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN220N20X3
k.A.
ab € 25,05*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 175A; ISOTOP; schraubbar; 700W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 175A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustleistung: 70...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M11JVFR
k.A.
ab € 78,05*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 175A; ISOTOP; schraubbar; 700W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 175A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustleistung: 70...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M11JVR
k.A.
ab € 68,80*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 176A; ISOTOP; schraubbar; 694W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 176A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustleistung: 69...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M11JLL
k.A.
ab € 67,54*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 176A; ISOTOP; schraubbar; 694W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 176A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustleistung: 69...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M11JFLL
k.A.
ab € 75,62*
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