Kategorien
Deutschland
Deutsch
Konto
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  > MOSFET Transistormodule

  MOSFET Transistormodule (336 Artikel)

Folgende Filter helfen, die Artikelliste nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis€  Wort 
Funktionen
☐
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Artikel ^v
Hersteller/-Nr. ^v
Preis ^v
Bestellen
Modul; Diode/Transistor; 1,2kV; 108A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 280A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 108A Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ Verlustleistung: 600W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100MC120JCU2
ab € 277,84*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 1,2kV; 54A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 140A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 54A Widerstand im Leitungszustand: 34mΩ Verlustleistung: 300W E...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50MC120JCU2
ab € 112,25*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 100V; 106A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 576A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 106A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustleistung: 450W E...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M11JVRU2
ab € 30,79*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 100V; 106A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 576A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 106A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustleistung: 450W E...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M11JVRU3
ab € 30,62*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 207A Widerstand im Leitungszustand: 5mΩ Verlustleistung: 780W Einhe...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM10SKM05TG
ab € 105,71*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 207A Widerstand im Leitungszustand: 5mΩ Verlustleistung: 780W Einhe...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM10DAM05TG
ab € 105,74*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 1kV; 20A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 140A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 396mΩ Verlustleistung: 543W Ei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT26M100JCU2
ab € 37,31*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 1kV; 20A; ISOTOP; Topologie: buck chopper (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 396mΩ Verlustleistung: 543W Ei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT26M100JCU3
ab € 37,20*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 1kV; 33A; SP4; Idm: 172A; 780W; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 33A Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω Verlustleistung: 780W Einhe...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM100DA18TG
ab € 102,58*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP6C Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 49A Widerstand im Leitungszustand: 156mΩ Verlustleistung: 1,25kW Ei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM100A13SG
ab € 279,02*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 155A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Verlustleistung: 781W Einh...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM20SKM08TG
ab € 104,47*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 155A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Verlustleistung: 781W Einh...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM20DAM08TG
ab € 104,46*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 15A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 104A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 672mΩ Verlustleistung: 543W E...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M120JCU3
ab € 38,79*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 15A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 104A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 672mΩ Verlustleistung: 543W E...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M120JCU2
ab € 38,59*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 72A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 388A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 72A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Verlustleistung: 450W Ei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M22JVRU2
ab € 30,66*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 72A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 388A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 72A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Verlustleistung: 450W Ei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M22JVRU3
ab € 30,77*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 130A; V2-Pack; Press-in PCB; 1,38kW (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V2-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Verlustleistung: 1,38kW Polarisierung: ...
IXYS
VUM85-05A
ab € 105,51*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 30A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 164A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 378W Ei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010JLLU2
ab € 29,02*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 30A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 164A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 378W Ei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010JLLU3
ab € 29,15*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 33A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 176A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 33A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 450W Ei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010JVRU3
ab € 33,36*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 33A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 176A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 33A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 450W Ei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010JVRU2
ab € 36,68*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 35A; V1-A-Pack; Idm: 95A; 36W; 350nC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Verlustleistung: 36W Polarisierung: u...
IXYS
VUM25-05E
ab € 31,97*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 39A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 204A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 39A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleistung: 290W Ei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M75JLLU3
ab € 31,13*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 39A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 204A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 39A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleistung: 290W Ei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M75JLLU2
ab € 31,21*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 43A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 270A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 43A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Verlustleistung: 543W Ei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58M50JU3
ab € 29,47*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 43A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 270A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 43A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Verlustleistung: 543W Ei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58M50JCU2
ab € 34,79*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 43A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 270A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 43A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Verlustleistung: 543W Ei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58M50JU2
ab € 29,44*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 29A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 160A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP3F Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 29A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Verlustleistung: 250W Einh...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTC60HM70BT3G
ab € 97,38*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 30A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 120A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Verlustleistung: 290W Ei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40N60JCU3
ab € 25,79*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 30A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 120A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Verlustleistung: 290W Ei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40N60JCU2
ab € 25,72*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 38A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 130A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Verlustleistung: 290W Ei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50N60JCCU2
ab € 39,29*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP3F Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Verlustleistung: 250W Einh...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTCV60HM45BT3G
ab € 100,83*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; 500W; 165nC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-B-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Verlustleistung: 500W Polarisierung: ...
IXYS
VUM33-06PH
ab € 52,05*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 70A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 260A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP3F Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Verlustleistung: 462W Einh...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTC60DHM24T3G
ab € 106,01*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 72A; SP4; Steckverbinder FASTON (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 72A Widerstand im Leitungszustand: 35mΩ Verlustleistung: 416W Einhe...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTC60AM35SCTG
ab € 125,52*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; Idm: 447A (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Gehäuse: PIM20 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 149A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Verlustleistung: 352W Einheitspreis: Ne...
onsemi
NXH020U90MNF2PTG
ab € 137,23*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; -100V; -210A; SOT227B; schraubbar (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -210A Widerstand im Leitungszustand: 7,5mΩ Verlust...
IXYS
IXTN210P10T
ab € 34,57*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; -200V; -106A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: -200V Drainstrom: -106A Widerstand im Leitungszustand: 30mΩ Verlustl...
IXYS
IXTN120P20T
ab € 40,88*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; -500V; -40A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 477ns Drain-Source Spannung: -500V Drainstrom: -40A Widerstand im Leitungszustand: 0,23Ω Verlustl...
IXYS
IXTN40P50P
ab € 25,37*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; -600V; -32A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 480ns Drain-Source Spannung: -600V Drainstrom: -32A Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω Verlustl...
IXYS
IXTN32P60P
ab € 28,70*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,1kV; 34A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXFN40N110P
ab € 33,94*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,1kV; 35A; SOT227B; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXFN40N110Q3
ab € 31,04*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 110A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszu...
DACO Semiconductor
DACMI160N1200
ab € 124,73*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 125A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 125A Widerstand im Leitungszu...
DACO Semiconductor
DACMI200N1200
ab € 305,49*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 12A; ISOTOP; schraubbar; 545W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,58Ω Verlustleistung: 5...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT17F120J
ab € 32,38*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 12A; ISOTOP; schraubbar; 545W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 530mΩ Verlustleistung: 5...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT19M120J
ab € 44,80*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 15A; ISOTOP; schraubbar; 450W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω Verlustleistung: 45...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12080JVFR
ab € 47,93*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 15A; SOT227B; schraubbar; 540W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1,83µs Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 0,9Ω Verlustle...
IXYS
IXTN17N120L
ab € 49,88*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 17A; ISOTOP; schraubbar; 463W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 17A Widerstand im Leitungszustand: 670mΩ Verlustleistung: 4...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12067JFLL
ab € 45,52*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 19A; ISOTOP; schraubbar; 520W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 19A Widerstand im Leitungszustand: 570mΩ Verlustleistung: 5...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12057JFLL
ab € 66,86*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 20A; SOT227B; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 570mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN20N120P
ab € 35,59*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 21,5A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 21,5A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Polarisierung: unipolar Einheitsp...
IXYS
IXFN27N120SK
ab € 40,55*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 21A; ISOTOP; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 21A Widerstand im Leitungszustand: 0,32Ω Verlustleistung: 9...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT32F120J
ab € 53,08*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 22A; ISOTOP; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 22A Widerstand im Leitungszustand: 0,29Ω Verlustleistung: 9...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT34M120J
ab € 64,45*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 23A; SOT227B; schraubbar; 695W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Verlustlei...
IXYS
IXFN26N120P
ab € 44,61*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 24A; SOT227B; schraubbar; 165W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 1...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA120J
ab € 25,31*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 25A; SOT227B; schraubbar; 176W (1 Angebot) 
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 137mΩ Verlustleistung: 17...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120N
ab € 17,28*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 25A; SOT227B; schraubbar; SiC (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 25A Polarisierung: unipolar E...
DACO Semiconductor
DACMI40N1200
ab € 42,26*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 26A; ISOTOP; schraubbar; 700W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 26A Widerstand im Leitungszustand: 0,4Ω Verlustleistung: 70...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12040JVR
ab € 104,80*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 30A; ISOTOP; schraubbar; 690W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,33Ω Verlustleistung: 6...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12031JFLL
ab € 116,98*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 26ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 26ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Polarisieru...
IXYS
IXFN50N120SIC
ab € 64,44*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω Verlustle...
IXYS
IXFN30N120P
ab € 49,83*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 32A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 32A Widerstand im Leitungszustand: 0,31Ω Verlustle...
IXYS
IXFN32N120P
ab € 60,61*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 37A; SOT227B; schraubbar; 208W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 37A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Verlustleistung: 2...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC040SMA120J
ab € 35,68*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 48A; SOT227B; schraubbar; SiC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 54ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 48A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Polarisieru...
IXYS
IXFN50N120SK
ab € 64,11*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 50A; SOT227B; schraubbar; 460W (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszus...
DACO Semiconductor
DACMI80N1200
ab € 71,22*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 54A; SOT227B; schraubbar; 278W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 54A Widerstand im Leitungszustand: 31mΩ Verlustleistung: 2...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120J
ab € 49,87*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 74A; SOT227B; schraubbar; 365W (1 Angebot) 
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 74A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Verlustleistung: 3...
Genesic Semiconductor
G3R20MT12N
ab € 44,88*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 76A; SOT227B; schraubbar; 500W (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 76A Widerstand im Leitungszus...
DACO Semiconductor
DACMI120N1200
ab € 95,91*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1,7µs Drain-Source Spannung: 1,5kV Drainstrom: 7,5A Widerstand im Leitungszustand: 3,6Ω Verlustle...
IXYS
IXTN8N150L
ab € 45,72*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,7kV; 67A; SOT227B; schraubbar; SiC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,7kV Drainstrom: 67A Widerstand im Leitungszustand: 23mΩ Polarisierung: unipolar Einheitspre...
IXYS
IXFN90N170SK
ab € 346,95*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,7kV; 70A; SOT227B; schraubbar; 523W (2 Angebote) 
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,7kV Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Verlustleistung: 5...
Genesic Semiconductor
G3R20MT17N
ab € 110,36*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 120A; SOT227B; schraubbar; 380W (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Verlustleistung: 380W ...
DACO Semiconductor
DAMI160N100
ab € 20,42*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 144A; ISOTOP; schraubbar; 450W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 144A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustleistung: 45...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M11JVFR
ab € 56,79*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 178A; SOT227B; schraubbar; 830W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 245ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 178A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustlei...
IXYS
IXTN200N10L2
ab € 35,87*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 200A; SOT227B; schraubbar; 550W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 76ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 200A Widerstand im Leitungszustand: 5,5mΩ Verlustlei...
IXYS
IXTN200N10T
ab € 25,89*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 200A; SOT227B; schraubbar; 680W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 200A Widerstand im Leitungszustand: 7,5mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN200N10P
ab € 19,27*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 225A; ISOTOP; schraubbar; 700W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 225A Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ Verlustleistung: 700...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M07JVFR
ab € 65,12*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 280A; SOT227B; schraubbar; 424W (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 280A Widerstand im Leitungszustand: 2,1mΩ Verlustleistung: 424...
DACO Semiconductor
DAMI320N100
ab € 33,08*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 295A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 295A Widerstand im Leitungszustand: 5,5mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN300N10P
ab € 33,87*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 320A; SOT227B; schraubbar; 626W (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 320A Widerstand im Leitungszustand: 1,5mΩ Verlustleistung: 626...
DACO Semiconductor
DAMI450N100
ab € 31,81*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 330A; SOT227B; schraubbar; 652W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 330A Widerstand im Leitungszustand: 1,3mΩ Verlustleistung: 652W Polarisier...
Vishay
VS-FC420SA10
ab € 22,22*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 360A; SOT227B; schraubbar; 830W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 130ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 360A Widerstand im Leitungszustand: 2,6mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN360N10T
ab € 18,50*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 420A; SOT227B; schraubbar (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 140ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 420A Widerstand im Leitungszustand: 2,3mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN420N10T
ab € 20,95*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 445A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 445A Widerstand im Leitungszustand: 1,1mΩ Verlustleistung: 890...
DACO Semiconductor
DAMI560N100
ab € 32,56*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 520A; SOT227H; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227H Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 520A Polarisierung: unipolar Einheitspreis: Nein Elektrische M...
DACO Semiconductor
DAMIA700N100
ab € 65,30*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2,2kW (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 590A Widerstand im Leitungszustand: 2,1mΩ Verlustlei...
IXYS
VMO550-01F
ab € 345,46*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 620A; SOT227H; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227H Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 620A Polarisierung: unipolar Einheitspreis: Nein Elektrische M...
DACO Semiconductor
DAMIA830N100
ab € 67,92*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 690A; Y3-DCB; Idm: 2,78kA; 2,5kW (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 690A Widerstand im Leitungszustand: 1,8mΩ Verlustlei...
IXYS
VMO650-01F
ab € 198,62*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 720A; SOT227H; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227H Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 720A Polarisierung: unipolar Einheitspreis: Nein Elektrische M...
DACO Semiconductor
DAMIA960N100
ab € 71,34*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 820A; SOT227H; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227H Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 820A Polarisierung: unipolar Einheitspreis: Nein Elektrische M...
DACO Semiconductor
DAMIA1100N100
ab € 74,16*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 150V; 150A; SOT227B; schraubbar; 273W (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 150A Widerstand im Leitungszustand: 6,7mΩ Verlustleistung: 273...
DACO Semiconductor
DAMI220N150
ab € 24,51*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 150V; 150A; SOT227B; schraubbar; 680W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 150A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN180N15P
ab € 18,30*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 150V; 180A; SOT227B; schraubbar; 320W (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 180A Widerstand im Leitungszustand: 4,5mΩ Verlustleistung: 320...
DACO Semiconductor
DAMI300N150
ab € 26,95*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 150V; 220A; SOT227B; schraubbar; 600W (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 220A Widerstand im Leitungszustand: 3,2mΩ Verlustleistung: 600...
DACO Semiconductor
DAMI360N150
ab € 32,21*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 150V; 240A; SOT227B; schraubbar; 830W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 140ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 240A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN240N15T2
ab € 29,38*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 150V; 270A; SOT227H; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227H Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 270A Polarisierung: unipolar Einheitspreis: Nein Elektrische M...
DACO Semiconductor
DAMIA460N150
ab € 66,00*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 150V; 300A; SOT227B; schraubbar; 909W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 300A Widerstand im Leitungszustand: 1,93mΩ Verlustleistung: 909W Polarisie...
Vishay
VS-FC420SA15
ab € 45,08*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 150V; 310A; SOT227B; schraubbar (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 310A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN360N15T2
ab € 38,94*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 150V; 330A; SOT227H; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227H Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 330A Polarisierung: unipolar Einheitspreis: Nein Elektrische M...
DACO Semiconductor
DAMIA560N150
ab € 69,31*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: 1   2   3   4   vorwärts
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.