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  MOSFET Transistormodule (338 Artikel)

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Modul; Diode/Transistor; 1,2kV; 108A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 280A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 108A Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ Verlustleistung: 600W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100MC120JCU2
ab € 278,44*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 1,2kV; 54A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 140A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 54A Widerstand im Leitungszustand: 34mΩ Verlustleistung: 300W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50MC120JCU2
ab € 113,17*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 100V; 106A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 576A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 106A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustleistung: 450W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M11JVRU2
ab € 30,59*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 100V; 106A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 576A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 106A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustleistung: 450W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M11JVRU3
ab € 30,81*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 207A Widerstand im Leitungszustand: 5mΩ Verlustleistung: 780W Elekt...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM10SKM05TG
ab € 106,25*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 207A Widerstand im Leitungszustand: 5mΩ Verlustleistung: 780W Elekt...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM10DAM05TG
ab € 106,34*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 1kV; 20A; ISOTOP; Topologie: buck chopper (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 396mΩ Verlustleistung: 543W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT26M100JCU3
ab € 37,52*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 1kV; 20A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 140A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 396mΩ Verlustleistung: 543W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT26M100JCU2
ab € 37,28*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 1kV; 33A; SP4; Idm: 172A; 780W; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 33A Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω Verlustleistung: 780W Elekt...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM100DA18TG
ab € 103,09*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP6C Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 49A Widerstand im Leitungszustand: 156mΩ Verlustleistung: 1,25kW El...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM100A13SG
ab € 280,28*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 155A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Verlustleistung: 781W Elek...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM20SKM08TG
ab € 105,14*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 155A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Verlustleistung: 781W Elek...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM20DAM08TG
ab € 104,79*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 15A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 104A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 672mΩ Verlustleistung: 543W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M120JCU3
ab € 38,82*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 15A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 104A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 672mΩ Verlustleistung: 543W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M120JCU2
ab € 38,94*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 72A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 388A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 72A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Verlustleistung: 450W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M22JVRU2
ab € 31,00*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 200V; 72A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 388A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 72A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Verlustleistung: 450W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M22JVRU3
ab € 30,86*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 130A; V2-Pack; Press-in PCB; 1,38kW (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V2-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Verlustleistung: 1,38kW Polarisierung: ...
IXYS
VUM85-05A
ab € 104,70*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 30A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 164A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 378W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010JLLU2
ab € 29,06*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 30A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 164A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 378W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010JLLU3
ab € 29,18*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 33A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 176A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 33A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 450W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010JVRU3
ab € 33,49*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 33A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 176A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 33A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 450W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010JVRU2
ab € 36,76*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 35A; V1-A-Pack; Idm: 95A; 36W; 350nC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Verlustleistung: 36W Polarisierung: u...
IXYS
VUM25-05E
ab € 31,99*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 39A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 204A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 39A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleistung: 290W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M75JLLU3
ab € 31,31*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 39A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 204A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 39A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleistung: 290W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M75JLLU2
ab € 31,34*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 43A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 270A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 43A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Verlustleistung: 543W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58M50JU3
ab € 29,44*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 43A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 270A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 43A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Verlustleistung: 543W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58M50JCU2
ab € 34,79*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 43A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 270A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 43A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Verlustleistung: 543W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58M50JU2
ab € 29,27*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 29A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 160A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP3F Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 29A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Verlustleistung: 250W Elek...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTC60HM70BT3G
ab € 97,64*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 30A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 120A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Verlustleistung: 290W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40N60JCU3
ab € 25,87*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 30A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 120A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Verlustleistung: 290W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40N60JCU2
ab € 25,70*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 38A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 130A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Verlustleistung: 290W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50N60JCCU2
ab € 39,22*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP3F Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Verlustleistung: 250W Elek...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTCV60HM45BT3G
ab € 101,14*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; 500W; 165nC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-B-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Verlustleistung: 500W Polarisierung: ...
IXYS
VUM33-06PH
ab € 51,86*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 70A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 260A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP3F Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Verlustleistung: 462W Elek...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTC60DHM24T3G
ab € 106,08*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 72A; SP4; Steckverbinder FASTON (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 72A Widerstand im Leitungszustand: 35mΩ Verlustleistung: 416W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTC60AM35SCTG
ab € 125,67*
pro Stück
Modul; Diode/Transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; Idm: 447A (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Gehäuse: PIM20 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 149A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Verlustleistung: 352W Elektrische Monta...
onsemi
NXH020U90MNF2PTG
ab € 151,38*
pro Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 138A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 138A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Verlustleistung: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC130SM120JCU2
ab € 127,40*
pro Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 138A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 138A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Verlustleistung: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC130SM120JCU3
ab € 126,95*
pro Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 42A; SP1; Press-in PCB; 250W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP1 Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Verlustleistung: 250W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTMC120AM55CT1AG
ab € 242,38*
pro Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 44A; SOT227B; schraubbar; 245W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Verlustleistung: 2...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC40SM120JCU3
ab € 57,19*
pro Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 44A; SOT227B; schraubbar; 245W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Verlustleistung: 2...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC40SM120JCU2
ab € 57,28*
pro Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 71A; SOT227B; schraubbar; 395W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 71A Widerstand im Leitungszustand: 31mΩ Verlustleistung: 3...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC70SM120JCU2
ab € 83,31*
pro Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 71A; SOT227B; schraubbar; 395W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 71A Widerstand im Leitungszustand: 31mΩ Verlustleistung: 3...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC70SM120JCU3
ab € 83,34*
pro Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 71A; SP1F; Press-in PCB; 395W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP1F Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 71A Widerstand im Leitungszustand: 31mΩ Verlustleistung: 395W...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSCSM120AM31CT1AG
ab € 144,43*
pro Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 250W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP3F Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 38A Kollektor-Emitter-Strom: 50A Widerstand im Leitungszustand...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTCV60HM45RCT3G
ab € 106,76*
pro Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 700V; 98A; SOT227B; schraubbar; 365W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 98A Widerstand im Leitungszustand: 19mΩ Verlustleistung: 36...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC100SM70JCU2
ab € 73,84*
pro Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 700V; 98A; SOT227B; schraubbar; 365W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 98A Widerstand im Leitungszustand: 19mΩ Verlustleistung: 36...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC100SM70JCU3
ab € 73,90*
pro Stück
Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 110A; HB9434; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: HB9434 Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszu...
DACO Semiconductor
DACMH160N1200
ab € 261,12*
pro Stück
Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 125A; HB9434; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: HB9434 Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 125A Widerstand im Leitungszu...
DACO Semiconductor
DACMH200N1200
ab € 328,33*
pro Stück
Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 138A; Half-Bridge Module (2 Angebote) 
Hersteller: Wolfspeed(CREE) Betriebstemperatur: -40...125°C Gehäuse: Half-Bridge Module Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 138A Widerstand im L...
Wolfspeed
CAS120M12BM2
ab € 426,29*
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