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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W (1 Angebot) 
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247PLUS-4 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 375W Pol...
BASiC SEMICONDUCTOR
B2M032120Y
ab € 10,34*
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