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Handwriting Features Guide (1 Angebot) Forensic handwriting examination follows a process comprised of four main steps: Analysis, Comparison, Evaluation, and Verification (ACE-V). While the process itself has been described and refined,... |
Books on Demand 9783759735997 |
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Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 70 A 4.25 → 16V PQFN (2 Angebote) Ausgangsstrom = 70 A Versorgungsspannung = 4.25 → 16V Gehäusegröße = PQFN Die integrierte Leistungsstufe von Infineon kombiniert die Advanced Low Voltage MOSFET-Technologie mit dem neuesten Treiber... |
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Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 50 A 4.25 → 16V PQFN (1 Angebot) Ausgangsstrom = 50 A Versorgungsspannung = 4.25 → 16V Gehäusegröße = PQFN Die integrierte Leistungsstufe von Infineon kombiniert die Advanced Low Voltage MOSFET-Technologie mit dem neuesten Treiber... |
Infineon IR35412MTRPBFAUMA1 |
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Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 60 A 4.25 → 16V PQFN (1 Angebot) Ausgangsstrom = 60 A Versorgungsspannung = 4.25 → 16V Gehäusegröße = PQFN Die integrierte Leistungsstufe von Infineon kombiniert die Advanced Low Voltage MOSFET-Technologie mit dem neuesten Treiber... |
Infineon IR35411MTRPBFAUMA1 |
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Renesas Electronics HIP2211FBZ-T7A |
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Renesas Electronics HIP2211FRTZ-T7A |
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Skyworks Solutions Si8751AB-IS |
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Renesas Electronics HIP2104FRAANZ-T7A |
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NXP MRF101BN HF-FET-TRANSISTOR, 133V, 182W, TO-220 (1 Angebot) Betriebsfrequenz, min.: 1.8 MHz Verlustleistung: 182 W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Produktpalette: MRF101AN, MRF101BN MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp:... |
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International Rectifier PVG612APBF |
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NXP MRFX035HR5 HF-FET-TRANSISTOR, 179V, 154W, NI-360H (1 Angebot) Produktpalette: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Transistormontage: Flanschklemme Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: - Betriebstemperatur, max.: 225 °C Bauform - Transistor:... |
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