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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 175A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V2-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 175A Kollektorstrom im Impuls: 450A Anwe...
IXYS
VUB160-16NOX
ab € 81,85*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 25A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom ...
Infineon
FP25R12W1T7B11BPSA1
ab € 26,63*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 40A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom im Impuls: 105A Anwen...
IXYS
MIXA40WB1200TED
ab € 68,03*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 40A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom im Impuls: 105A Anw...
IXYS
VUB72-16NOXT
ab € 35,89*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 20A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 20A Kollektorstrom im Impuls: 45A Anwend...
IXYS
MIXA20WB1200TED
ab € 64,96*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 33A (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 33A Kollektorstrom im Impuls: 50A ...
Powersem
PSIS 50/12
ab € 12,31*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO3-3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom ...
Infineon
FP50R12KT3BOSA1
ab € 98,96*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 460A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 460A Kollektorstrom im Impuls: 800A Anwen...
IXYS
MDI550-12A4
ab € 177,98*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 220A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 220A Kollektorstrom im Impuls: 400A Anwen...
IXYS
MDI300-12A4
ab € 81,74*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAR12F4 22896130
ab € 184,24*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GAR12T4 22892428
ab € 227,73*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 60A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E3-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom im Impuls: 150A Anwen...
IXYS
MIXA60WB1200TEH
ab € 91,60*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 30A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 30A Kollektorstrom im Impuls: 75A Anwend...
IXYS
MIXA30WB1200TED
ab € 62,34*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAR12E4 22892414
ab € 176,06*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 60A (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y4-M5 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom im Impuls: 100A Anwendu...
IXYS
MDI75-12A3
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