| |
|
| Artikel-Nr.: 108EL-1687768 Herst.-Nr.: GT50JR22 EAN/GTIN: 5059041372107 |
| |
|
| | |
| Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±25V Verlustleistung max. = 230 W Gehäusegröße = TO-3P Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Schaltgeschwindigkeit = 1MHz Transistor-Konfiguration = Einfach Abmessungen = 15.5 x 4.5 x 20mm Betriebstemperatur max. = +175 °C
IGBTs, diskret, Toshiba Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 50 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±25V | Verlustleistung max.: | 230 W | Gehäusegröße: | TO-3P | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 1MHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 15.5 x 4.5 x 20mm | Betriebstemperatur max.: | +175 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: igbt, 1687768, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, GT50JR22, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
| | |
| |