Infineon FRAM-Speicher 4kbit, 512 M x 8 Bit 20ns Seriell-SPI SMD SOIC 8-Pin 2,7 V bis 3,6 V

Speicher Größe = 4kbit
Organisation = 512 M x 8 Bit
Interface-Typ = Seriell-SPI
Datenbus-Breite = 8bit
Zugriffszeit max. = 20ns
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOIC
Pinanzahl = 8
Abmessungen = 4.97 x 3.98 x 1.47mm
Länge = 4.97mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 V
Höhe = 1.47mm
Betriebstemperatur max. = +85 °C
Anzahl der Wörter = 512M

4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8 Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014) 151 Jahre Datenspeicherung NODELAY ® schreibt Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI) Bis zu 20 MHz Frequenz Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1) Ausgeklügeltes Schreibschutzschema Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP) Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array Geringer Stromverbrauch 200° A Wirkstrom bei 1 MHz Standby-Strom von 3° A (typ.) Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C. Gehäuse 8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit) 8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)