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| Artikel-Nr.:
108EL-1841266 Herst.-Nr.:
NSR01L30NXT5G EAN/GTIN:
5059045337393 |
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| Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = DSN - 0201
Dauer-Durchlassstrom max. = 100mA
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 30V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = Schottky
Pinanzahl = 2
Maximaler Spannungsabfall = -400mV
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 4A
Die Schottky-Diode ist für einen niedrigen Durchlassspannungsabfall und einen niedrigen Leckstrom optimiert. Das DSN-2-Gehäuse (Dual Silicon No-lead) ist ein Chip-Level-Gehäuse mit lötbaren Metallkontakten unter dem Gehäuse, ähnlich wie DFN-Gehäuse. Das DSN-Gehäuse ermöglicht eine 100-prozentige Nutzung des Gehäusebereichs für aktives Silizium und bietet einen deutlichen Vorteil pro Platinenbereich im Vergleich zu Produkten in Kunststoffformgehäusen.Niedriger Spannungsabfall in Durchlassrichtung Niedriger Rückstrom Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit Sperrspannungs- und Überstromschutz Reduziert die Verlustleistung Anwendungen: LCD und Tastenfeldhinterleuchtung Kamera-Fotoblitz Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | DSN - 0201 | Dauer-Durchlassstrom max.: | 100mA | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 30V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | Schottky | Pinanzahl: | 2 | Maximaler Spannungsabfall: | -400mV | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | Schottky | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 4A |
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| Weitere Suchbegriffe: smd diode, 1841266, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, onsemi, NSR01L30NXT5G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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