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Toshiba IGBT / 60 A ±25V max., 600 V, 3-Pin TO-3PLH N-Kanal

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
108EL-184521

Hersteller:
Toshiba

Herst.-Nr.:
GT60J323(Q)

EAN/GTIN:
5059041867894

Suchbegriffe:

IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt toshiba

Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±25V
Gehäusegröße = TO-3PLH
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 20.5 x 5.2 x 26mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

IGBTs, diskret, Toshiba

Weitere Informationen:


Dauer-Kollektorstrom max.:	60 A
Kollektor-Emitter-Spannung:	600 V
Gate-Source Spannung max.:	±25V
Gehäusegröße:	TO-3PLH
Montage-Typ:	THT
Channel-Typ:	N
Pinanzahl:	3
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Abmessungen:	20.5 x 5.2 x 26mm
Betriebstemperatur min.:	-55 °C

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Weitere Suchbegriffe: igbt, 184521, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, GT60J323(Q), Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs

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