| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 108EL-1882584 Herst.-Nr.: W972GG6KB25I EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Speicher Größe = 2Gbit SDRAM-Klasse = DDR2 Datenumfang = 800MHz Datenbus-Breite = 16bit Adressbusbreite = 17bit Anzahl der Bits pro Wort = 8bit Zugriffszeit max. = 0.4ns Anzahl der Wörter = 256M Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = WBGA Pinanzahl = 84 Abmessungen = 12.6 x 8.1 x 0.6mm Höhe = 0.6mm Länge = 12.6mm Breite = 8.1mm
Der W972GG6KB ist ein 2-G-Bit-DDR2-SDRAM mit einer Geschwindigkeit von -18, -25/25I und -3/-3I.Doppelte Datenraten-Architektur: zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus CAS-Latenz: 3, 4, 5, 6 und 7 Burst-Länge: 4 und 8 Bidirektional, Differenzial-Datenvalidierungen (DQS und /DQS) werden mit Daten übertragen/empfangen Flanken-ausgerichtet beim Lesen von Daten und Mitte-ausgerichtet beim Schreiben von Daten DLL richtet DQ- und DQS-Übergänge auf den Takt aus Differenzialtakteingänge (CLK und /CLK) Datenmasken (DM) für das Schreiben von Daten Befehle, die an jeder positiven CLK-Kante, an Daten- und Datenmaske eingegeben werden, beziehen sich auf beide Kanten von /DQS Programmierbare additive Latenz /CAS unterstützt, um die Effizienz von Befehlen und Datenbus zu steigern Leselatenz = Additive Latenz plus CAS-Latenz (RL = AL + CL) Off-Chip-Impedanzeinstellung des Treibers (OCD) und On-Die-Abschluss (ODT) für bessere Signalqualität Auto-Precharge-Betrieb zum Lesen und Schreiben von Bursts Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi Precharged Abschaltung und aktive Abschaltung Datenmaske schreiben Schreiblatenz = Leselatenz - 1 (WL = RL - 1) Schnittstelle: SSTL_18 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Speicher Größe: | 2Gbit | SDRAM-Klasse: | DDR2 | Datenumfang: | 800MHz | Datenbus-Breite: | 16bit | Adressbusbreite: | 17bit | Anzahl der Bits pro Wort: | 8bit | Zugriffszeit max.: | 0.4ns | Anzahl der Wörter: | 256M | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | WBGA | Pinanzahl: | 84 | Abmessungen: | 12.6 x 8.1 x 0.6mm | Höhe: | 0.6mm | Länge: | 12.6mm | Breite: | 8.1mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 1882584, Halbleiter, Speicherbausteine, SDRAM, Winbond, W972GG6KB25I, Semiconductors, Memory Chips |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |