Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.:
108EL-1952678 Herst.-Nr.:
STWA75N60DM6 EAN/GTIN:
4017918919788 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 72 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 36 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.25V
Verlustleistung max. = 446 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±25 V
Breite = 5.1mm
Höhe = 21.1mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 72 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 36 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.75V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3.25V | Verlustleistung max.: | 446 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±25 V | Breite: | 5.1mm | Höhe: | 21.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: MOSFET-Transistor, Stiftleiste, leiterplattensteckverbinder 3 polig, grundleiste für leiterplattensteckverbinder, stm mosfet, 1952678, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STWA75N60DM6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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