STMicroelectronics STWA75N60M6 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 72 A 446 W, 3-Pin TO-247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 72 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 36 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.25V
Verlustleistung max. = 446 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±25 V
Breite = 5.1mm
Höhe = 21.1mm

Die neue MDmesh TM M6-Technologie umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten MDmesh-Familie von SJ MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf durch seine neue M6-Technologie, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt kombiniert, sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz bei der Endanwendung.Geringere Schaltverluste Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation Niedriger Gate-Eingangswiderstand Zenerdioden-geschützt