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| Artikel-Nr.:
108EL-1958717 Herst.-Nr.:
FFSH1265BDN-F085 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-247
Dauer-Durchlassstrom max. = 14.4A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 650V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Diodentechnologie = SiC-Schottky
Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.Max. Abzweigtemperatur 175 °C. PPP-fähig Hohe Spitzenstrom-Kapazität Positiver Temperaturkoeffizient Einfacher Parallelbetrieb Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung Anwendungen Automobil HEV-EV-integrierte Ladegeräte Automobil HEV-EV DC/DC-Wandler Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | TO-247 | Dauer-Durchlassstrom max.: | 14.4A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 650V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | SiC-Schottky | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Diodentechnologie: | SiC-Schottky |
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| Weitere Suchbegriffe: 1958717, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, onsemi, FFSH1265BDNF085, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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