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| Artikel-Nr.: 108EL-2010881 Herst.-Nr.: STPSC4H065B-TR EAN/GTIN: k.A. |
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| Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = D2PAK Dauer-Durchlassstrom max. = 4A Spitzen-Sperrspannung periodisch = 650V Diodenkonfiguration = Einfach Pinanzahl = 2 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Die 650-V-Hochleistungs-Siliziumkarbid-Leistungsschottky-Diode von STMicroelectronics hat einen Nennstrom von 4 A. Es handelt sich um eine Schottky-Diode mit extrem hoher Leistung. Die Diode ist aus einem Siliziumkarbid-Substrat gefertigt. Seine hohe Stoßspannungsfestigkeit in Durchlassrichtung gewährleistet eine gute Stabilität in den Einschwingphasen Diese SiC-Diode erhöht die Leistung bei hartem Schaltzustand.Keine Rückgewinnungsladung im Strombereich der Anwendung Schaltverhalten unabhängig von der Temperatur Hohe Stoßspannungsfestigkeit in Durchlassrichtung Energieeffizientes Produkt Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | D2PAK | Dauer-Durchlassstrom max.: | 4A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 650V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Pinanzahl: | 2 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2010881, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, STMicroelectronics, STPSC4H065BTR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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