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| Artikel-Nr.:
108EL-2033483 Herst.-Nr.:
STPSC10H065DLF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = PowerFLAT
Dauer-Durchlassstrom max. = 10A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 650V
Diodenkonfiguration = Einfach
Pinanzahl = 2
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Die STMicroelectronics SiC-Diode ist eine extrem leistungsstarke Schottky-Diode, die mit einem Siliziumkarbidsubstrat hergestellt wird. Es verfügt über ein breites Bandspaltmaterial, das den Aufbau einer Schottky-Diodenstruktur mit einer Nennleistung von 650 V ermöglicht. Beim Ausschalten erfolgt keine Wiederherstellung, und Klingelmuster sind unerheblich. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist aufgrund der Schottky-Bauweise temperaturunabhängig.Gehäuse mit weniger als 1 mm Höhe Gehäuse mit hohem Kriechgang Keine oder geringe Sperrverzögerung Temperaturunabhängiges Schaltverhalten Hohe Stoßspannungsfestigkeit in Durchlassrichtung Sehr niedrige Durchlassspannung Energieeffizientes Produkt Ecopack2-konforme Komponente Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | PowerFLAT | Dauer-Durchlassstrom max.: | 10A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 650V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Pinanzahl: | 2 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2033483, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, STMicroelectronics, STPSC10H065DLF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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