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| Artikel-Nr.:
108EL-2098117 Herst.-Nr.:
VS-C12ET07T-M3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = 2 L TO-220AC
Dauer-Durchlassstrom max. = 12A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 650V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 3
Diodentechnologie = SiC-Schottky
Die Vishay 650-V-SiC-PIN-Schottky-Diode mit Durchlassstrom von 12 A.Majory-Trägerdiode mit Schottky-Technologie auf SiC-Breitband Spaltmaterial Positiver VF-Temperaturkoeffizient für einfache Parallelschaltung Praktisch kein Rückgewinnungsschwanz und keine Schaltverluste Temperaturinvariantes Schaltverhalten Maximale Betriebstemperatur von 175 °C am Übergang MPS-Struktur für hohe Robustheit gegenüber Überstrom-Überspannungen Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | 2 L TO-220AC | Dauer-Durchlassstrom max.: | 12A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 650V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | SiC-Schottky | Pinanzahl: | 3 | Diodentechnologie: | SiC-Schottky |
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| Weitere Suchbegriffe: gleichrichterdiode, 2098117, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Vishay, VSC12ET07TM3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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