|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-2168386 Herst.-Nr.:
IDH12G65C5XKSA2 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = PG-TO220
Dauer-Durchlassstrom max. = 12A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 650V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 2
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = SiC-Schottky
Die Infineon CoolSiC Generation 6 bietet eine neue Spitzentechnologie für die Schottky-Diode mit einem Nennstrom von 12 A. Diese neueste Generation ist für den Einsatz in Telekommunikations-SMPS und High-End-Servern, USV-Systemen, Motorantrieben, Solarwechselrichtern sowie PC-Silberbox- und Beleuchtungsanwendungen geeignet.Klassenbeste Leistungszahl Keine Rückgewinnungsladung Temperaturunabhängiges Schaltverhalten Hohe dv/dt-Robustheit Optimiertes thermisches Verhalten Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | PG-TO220 | Dauer-Durchlassstrom max.: | 12A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 650V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | SiC-Schottky | Pinanzahl: | 2 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | SiC-Schottky |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 2168386, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Infineon, IDH12G65C5XKSA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
| | |
| |