|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-2186298 Herst.-Nr.:
IDH03G65C5XKSA2 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = PG-TO220-2
Dauer-Durchlassstrom max. = 3A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 650V
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 2
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = SiC-Schottky
Die Infineon SiC Schottky-Diode besteht aus revolutionärem Halbleitermaterial. Er wird hauptsächlich in unterbrechungsfreier Stromversorgung, Leistungsfaktorkorrektur und Solarwechselrichtern verwendet.Toleriert hohe Stoßstromwerte Bleifrei RoHS-konform Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | PG-TO220-2 | Dauer-Durchlassstrom max.: | 3A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 650V | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | SiC-Schottky | Pinanzahl: | 2 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | SiC-Schottky |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 2186298, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Infineon, IDH03G65C5XKSA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
| | |
| |