|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-2216707 Herst.-Nr.:
NTH4LN019N65S3H EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0193 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Si Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 75 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247-4 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0193 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Transistor-Werkstoff: | Si |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 2216707, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTH4LN019N65S3H, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |