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Microchip 256kbit Serieller EEPROM-Speicher, Seriell-SPI Interface, PDIP, 50ns THT 32K x 8 Bit, 32k x 8-Pin 8bit
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
108EL-454173
Hersteller:
Microchip Technology
Herst.-Nr.:
25LC256-I/P
EAN/GTIN:
5059040208773
Suchbegriffe:
EEPROM
EEPROM-Speicher
eeprom
Speicher Größe = 256kbit
Interface-Typ = Seriell-SPI
Gehäusegröße = PDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 8
Organisation = 32K x 8 Bit
Arbeitsspannnung min. = 2,5 V
Arbeitsspannnung max. = 5,5 V
Programmierspannung = 2.5 → 5.5V
Anzahl der Bits pro Wort = 8bit
Abmessungen = 9.4 x 6.35 x 3.3mm
Betriebstemperatur min. = -40 °CJahr
Serieller SPI-EEPROM 25AA256/25LC256. Die 25AA256/25LC256-Produktfamilie von Microchip sind serielle 256-Kbit-SPI-EEPROMs, die in einer Vielzahl von Gehäuse-, Temperatur- und Netzteilausführungen verfügbar sind. Die serielle Peripherieschnittstelle (SPI) wird genutzt, um die erforderlichen Takteingangs- (SCK), Dateneingangs- (SI) und Datenausgangs- (SO) Signale zu leisten. Der Betrieb dieser Geräte kann über einen Hold-Stift (HALTEN) angehalten werden, wodurch Eingänge ignoriert werden, mit der Ausnahme von Unterbrechungen höherer Priorität, die über den Chip-Select (CS)-Stift bestimmt werden. Merkmale. Max. Takt: 10 MHz Maximaler Schreibstrom: 5 mA Lesestrom: 6 mA (typisch) Standby-Strom: 1 μA (typisch) 32768-x-8-Bit-Organisation 64-Byte-Seite Lösch-/Schreibzyklen mit Selbstzeitsteuerung, 5 ms (max.) Block-Schreibschutz: nichts, 1/4, 1/2 oder alles des Arrays schützen Integrierter Schreibschutz: Einschalt/Ausschalt-Datenschutzschaltung, Schreibfreigabesperre, Schreibschutzpin Sequenzielles Lesen Lebensdauer: >1 M Lösch-/Schreibzyklen Datenspeicherung: >200 Jahre ESD-Schutz: >4000 V
Weitere Informationen:
Speicher Größe:
256kbit
Interface-Typ:
Seriell-SPI
Gehäusegröße:
PDIP
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
8
Organisation:
32K x 8 Bit
Arbeitsspannnung min.:
2,5 V
Arbeitsspannnung max.:
5,5 V
Programmierspannung:
2.5 → 5.5V
Anzahl der Bits pro Wort:
8bit
Abmessungen:
9.4 x 6.35 x 3.3mm
Betriebstemperatur min.:
-40 °CJahr
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Halbleiter
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Speicherbausteine
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EEPROMs
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