Leistungstransistor, NPN, 120V, TO-220

Leistungstransistor, Typ=BD651, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=3 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=1800, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=140 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=120 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=2.5 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=8 A, Leistungsverteilung (PV)=62.5 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Übergangsfrequenz=-999, Bauform=TO-220, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=NPN