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| Artikel-Nr.: 139-2760516 Herst.-Nr.: NVD5C668NLT4G EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 49 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 44 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVD5C668NLT4G, 2760516, 276-0516 |
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